反激电源串联MOS管上管过热,请大家帮我看看,谢谢!

用导热硅胶绝缘垫啊!能够完全把热量传导出去!

DMM15是不是稳压值为15伏?如果是我可以分析一下.

对,是15V的.仿真出来是弥勒效应的问题,可在P6KE上并个小电容,然后加大电阻功率还是不行,管压降变得很低,而且3842输出驱动波形会有问题.现在不知道怎么解决了.

关键是这管子过热是由不正常状况导致的,光散热可能不行吧.

不知你用的是什么仿真软件,对开关电源来说,仿真是极不可靠的,环路反馈用仿真还可以.你说电压一高就有问题了,我看了一下你的这个原理不知能量怎样回馈的,我个人分析是这样的,3842的6脚从内部原理来看是和7脚通过某种方式连在一起的,不知你7脚电压是如何供的,如果Vin高,7脚电压也会高,6脚也会高,DW1导通,使脉冲丢失,你取掉这个管子或用一个稳压值高一点的看看,Q3发热我认为也有可能是DMM15的问题,DW2导通导致驱动功率不够,你可用示波器的XY模式观测一下Vds和Ids相位,或从电流波形上确定一下损耗是开通损耗还是关断损耗大了.如果你用什么方法解决了请在这回复一下,让我们都学点.

用的pspice.7脚是用启动绕组供电的,所以Vin高跟Vcc没什么影响.我照PI官方电路改的,只是P4KE550没有用P6KE440代替,导致上管分压增大,弥勒效应增强,P6KE储存的电荷不足以开通上管,现在P6KE上并个小电容,问题已经解决.不过10欧电阻的损耗加大了,改用了1W的电阻,烦人.不知道有没有什么好的方法再改善?

MOS发烫的解决根本办法就是减少损耗,你可以考虑:碳化硅肖特基一》耐压高,最高可以做到1800V;
二》反向恢复时间为零,改善MOS管的温度,提高产品的效率,改善产品的EMC;
三》耐温强,产品在300度以内工作性质不发生改变;
四》工作频率可到200KHZ以上
  



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兄弟们,怎么不过来看看!

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