用IGBT驱动直流电机,关电机的时候烧管

有快速关断吗?

实验的时候直接关了电源,IGBT就挂了

IGBT有加快关断没?

没有啊,快关断的电路是怎样的?我头次用这个东东,请指教,谢谢

在栅极与源极加一个放电回路就可以了

谢谢,请您帮我看看这个图,我加R4这个电阻可以吗?阻值多少合适500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164106864.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

大家都在看吸收回路,其实我到觉得吸收只是一部分.
在关机是G的输入存在,输出没有,产生了di/dt穿通.
在igbt的e上做点文章

看了你的图,问题是没有欠压关闭功能,当电压在关闭的时候,驱动电压下跌,使MOS工作在放大状态,电流过大又无限流而烧毁!

同意,最好是在IGBT的漏极D上加吸收回路.

谢谢大家,电路改成这样可以吗?

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164117190.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

IR2117有欠压封锁功能啊

笨笨,叫你在e上加点东西,怎么就听不懂呢.现在在c上的吸收设计的是可以的

我感觉应该可以了,关机的时候,电机为感性元件,且电感量较大,在关机瞬间会在IGBT的DS两端产生高电动势,D极没有吸收的话,就会损坏IGBT,楼主修改后的图在电机两端加了吸收,在D极又加了一个吸收,应该是没有问题的了.
还请问linepro兄你说的e是指什么地方?

e上加什么呢?请指点一下,谢谢

实际上我烧管子的电路和现在的电路比,就是少了G极的电阻和一对稳压管.但因为IR2117的HO输出内部是个对管结构,我觉得这部分电路其实可以不加的.但为什么把管子搞挂了,我想不明白中,CE间的RCD缓冲保护电路是一直都存在的

当电源电压低于2117的工作电压了,那欠压电路也不能正常工作了,试问难道电源电压在1伏它还能工作?又没限流措施.不信,你单独给2117电压,看MOS会不会烧.

你再看看你传的图,第一张是没有的哦

谢谢,我想这个时候IR2117的确是不能工作了.

用1K较合适500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164430476.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

谢谢!!

同意.应该在D与S之间加一个Snubber电路,如:RC,RCD,RLD等.很有用.

做个记号

你需要EXB840 IGBT驱动原价在38元/我手上有十只低价出卖一只20元

看关机瞬间波形,可以判断是电压过冲还是欠压关断

我们专注于场效应管的研发、生产和销售,引进国外先进的设计、制成及检测设备,采用元胞结构的VDMOS技术,在全国率先推出自有品牌——SAMWIN系列场效应管产品.在产品品质方面达到FAIRCHILD、ST、PHILIPS等国际知名产品的质量标准,在场效应管技术参数方面,如内阻和关断时间上甚至优于国外同类同质产品.我们采用国际一流的芯片生产线和封装线,严格执行ISO9001:2000质量管理体系,在节省成本的同时,有效保证了产品质量的国际水准,并与全球OEM和ODM知名厂商建立了紧密的合作关系.

有的啊

我在用半桥驱动芯片驱动MOS管的时候也遇到了类似的问题，第一次上电正常，第二次上电后就发现驱动芯片烧了。

http://bbs.dianyuan.com/topic/1049377

应该是逆程电压击穿igbt