双极型三极管受电流驱动，实际上，因为增益(集电极和基极电流之比)随集电极电流(IC)的增加而大幅度降低，我们要驱动的电流越大，则我们需要提供给基极的电流也越大。一个结果使双极型三极管开始消耗大量的控制功率，从而降低了整个电路的效率。
使事情更糟糕的是：这种缺点在工作温度更高的情况下会加重。另外一个结果是需要能够快速泵出和吸收电流的相当复杂的基极驱动电路。相比之下，(MOS)FET这种器件在栅极实际上消耗的电流为零；甚至在125°C的典型栅极电流都小于100nA。一旦寄生电容被充电，由驱动电路提供的泄漏电流就非常低。此外，用电压驱动比用电流驱动的电路简单，这正是(MOS)FET为什么对设计工程师如此有吸引力的另外一个原因。
