图1 以焊接主电路原理图
图2 驱动芯片原理图
IGBT为IXGH30N60B2D1,DS并联2.2nF电容,开关频率30kHz,死区时间1.5uS
驱动芯片为英飞凌2ED020I06
测试条件:控制电路为数字控制
主电路只焊接了图1上的器件,两桥臂中间焊了一个1K的电阻作为负载。(目前电路无 隔直电容,谐振电感和变压器)
Vbus上加直流电压到28V时候的波形
图3 为上下桥臂驱动波形。可以看出再一管开通时候,另一管有一个毛刺
图4 探头2为ds波形, 探头1为gs波形
在网上看了一些资料,有说可以加大DS电容或者驱动电阻。
现在DS并了2.2nF电容后尖峰确实会有减低,但是还是达不到要求啊。那个地电平尖峰随着Vbus电压增大而增大,28V时候就已经5V了。而我主电路要400V母线电压。
现在驱动电阻从10ohm加大为51ohm,效果并不明显。
请问各位,对此问题有没有什么看法或者建议呢?万分感谢!!!