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OB2263增加输出驱动对管，提升输出功率做到60W以上，有这样做过且量产过的朋友吗？
OB2263增加输出驱动能力，输出功率短时间内能达到60W
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是会引入干扰吗？原芯片只能驱动30W的功率，现在这样驱动能力提高是肯定的。@老江桥
请做过的朋友及有经验的朋友来说说：这样做出现过什么问题？或预计会出现什么问题。
也要看设计的能力和生产工艺；
深圳有一个2千人的电源公司，用这个办法增加驱动，千分之3的炸机；
分析主要原因有三个：
1.图腾驱动不可控，芯片驱动信号，经过三极管后到达MOS会有延迟；
2.MOS的VGS安全最大电压分为20V或30V，最合理的驱动电压为12V，而VCC的电压本身就是含有很多杂波毛刺；VCC的波动也比较大，直接拿VCC的电压驱动MOS，容易击穿MOS，电源烧毁；
3.面对复杂环境的芯片的时序问题。A，开机后，VCC的电压会首先上升到12V以上，在芯片没开启，如果芯片有任何时序的误动作(干扰，杂波等），微小的电压导致图腾驱动，VCC电压灌到MOS，导致MOS恒通炸机；B,正常工作时候的VCC一直处于高位，驱动关闭图腾的误动作也会导致炸机；B.关机时的误动作；
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@chinacompower
也要看设计的能力和生产工艺；深圳有一个2千人的电源公司，用这个办法增加驱动，千分之3的炸机；分析主要原因有三个：1.图腾驱动不可控，芯片驱动信号，经过三极管后到达MOS会有延迟；2.MOS的VGS安全最大电压分为20V或30V，最合理的驱动电压为12V，而VCC的电压本身就是含有很多杂波毛刺；VCC的波动也比较大，直接拿VCC的电压驱动MOS，容易击穿MOS，电源烧毁；3.面对复杂环境的芯片的时序问题。A，开机后，VCC的电压会首先上升到12V以上，在芯片没开启，如果芯片有任何时序的误动作(干扰，杂波等），微小的电压导致图腾驱动，VCC电压灌到MOS，导致MOS恒通炸机；B,正常工作时候的VCC一直处于高位，驱动关闭图腾的误动作也会导致炸机；B.关机时的误动作；
说得在理，非常感谢。
因一下找不到可直接用的稳定一点的芯片，再说OB2263也用顺手了，还是决定试产一批，电源部分增加稳压功能，其他要注意的地方请各位再捧场!
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@chinacompower
也要看设计的能力和生产工艺；深圳有一个2千人的电源公司，用这个办法增加驱动，千分之3的炸机；分析主要原因有三个：1.图腾驱动不可控，芯片驱动信号，经过三极管后到达MOS会有延迟；2.MOS的VGS安全最大电压分为20V或30V，最合理的驱动电压为12V，而VCC的电压本身就是含有很多杂波毛刺；VCC的波动也比较大，直接拿VCC的电压驱动MOS，容易击穿MOS，电源烧毁；3.面对复杂环境的芯片的时序问题。A，开机后，VCC的电压会首先上升到12V以上，在芯片没开启，如果芯片有任何时序的误动作(干扰，杂波等），微小的电压导致图腾驱动，VCC电压灌到MOS，导致MOS恒通炸机；B,正常工作时候的VCC一直处于高位，驱动关闭图腾的误动作也会导致炸机；B.关机时的误动作；
换一个耐压耐流大点的MOS可行吗？
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