IGBT烧坏时，其驱动波形会变化吗？？

IGBT烧坏后，一般情况下，会CBE击穿共通，高压会流击驱动电路，从而将驱动烧毁

这种情况下，所有芯片，一般都会因过压烧坏

驱动与IGBT之间设计时都要考虑隔离接，一般用光耦或驱动变压器隔离。即使IGBT损坏，驱动及前级电路都是不可能损坏的，也不会有任何的故障的。

具体问题具体分析.

对于变压器式隔离驱动：按道理说IGBT不管怎么坏都不会损坏驱动部分的，就是坏也只是损坏跟驱动直接连接的 稳压二极管，电容并联在驱动两端的元件，但是实际上有少部分会损坏驱动部分的驱动IC（个人猜测可能是被脉冲耦合打坏的）。 驱动部分是分立元件放大电路的就不清楚。

对于光藕隔离放大驱动（包括驱动片）的：有的IGBT坏了驱动部分一点事都没有，有的则IGBT坏了驱动部分跟IGBT直接连接的很多元件损坏，有的个别IGBT坏了不但驱动部分坏还会串到主电路，把控制板烧的一塌糊涂。

上面损坏驱动的跟电路设计布局有关，IGBT模块离驱动电路或者控制电路远，驱动部分布线跟控制电路布线距离远的相对情况好很多

如果IGBT损坏：

1.若是门极打穿。对有变压器驱动的前级是绝对安全的。

2.如果门极没坏，只是CE击穿。电流回路不经过变压器次级也不会感应到初级而影响到前级电路。

3.假设CE烧坏，波极到门极，模块门极内部引线较长，引线也较细，不会引入大电流，驱动变压器次级也不会有大电流。

4.假设驱动变压器次级因IGBT击穿、短路而感应到大于15V的高电压，该高电压反射到初级，由于初级的推动管用耐压200V以上，电流18A的mos管。更本不具怕这种感应电压。

所以假定IGBT烧坏，更本不用担心前级电路损坏。

所幸的是10多年来也只有发生过二块模块损坏，一块是门极内部短路，一块是门极内部开路。

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学习了。

驱动变压器烧毁 高压串到初级了吧 

驱动变压器初、次级耐压至少要1500AC 1min，在此高电压下泄漏电流不大于0.2mA。

为了更安全可靠，保证使用多年后的耐压及泄漏电流不发生变化，对变压器的绕法、初次级绝缘，很有讲究。我们宁可高于市场价3倍的成本由自已工人绕制也不购成品的驱动变压器就是这个原因。