发个webench的设计实例，有图，有实物

刚刚写了好多，点错了关闭页面，没有保存。。。只能重新继续了。。。

于是点开LM3478的方案，电路图、效率曲线、工作参数和BOM清单都出来了。对于这种大电流的DCDC，我比较在意的是电感的选取，因为要选到价格合适，货源不错的电感，确实有不小的难度。点开电路图，鼠标放在电感上，参考设计中电感的详细规格就出来了。

一看是coilcraft的，基本不用考虑了，一是价格贵，二是货源不好找。于是点开BOM清单，发现右侧有一个select alternate part，找到电感，点开一看，都是些很眼熟的国外品牌，他们有一个共同特点，就是价格太高，所以不予考虑了，还是根据参数，去国产电感里面选吧。有人问：为什么不用磁环电感？回答是，这么高频率下，要用到铁硅铝或者红灰磁环，这两者价格都不低，并且还要定制。 

返回到主页面，点dv/dt选项，出来的就是各个器件的工作参数。对于电感，最重要的参数就是峰值电流和RMS电流，要确保峰值电流小于饱和电流，然后根据RMS电流看电感的铜线电流密度是否合适。参数表格里面给出了我们希望的各项参数，只需要对照电感规格书选择就是了。一开始我选择了常见的12*12*7mm的方形贴片功率电感，根据某厂商的规格书，对于输入6.8uH的输入电感，该电感额定电流（手册标称是取饱和电流和温升电流中小的一项）6.6A，大于工作峰值电流5.29A（webebch计算值，和自己算的基本符合），铜线电阻19mR，按照计算得到的4.67A的RMS电流，铜线损耗0.4W，似乎是可以接受的。对于输出22uH的电感，额定电流只有3.6A，小于工作峰值电流3.8A，如果电感量能够降低到15uH的话，额定电流能够达到4.5A，铜线阻抗27mR，按软件计算得到的3.35A的RMS电流，0.3W的铜线损耗也是没有问题的。理论上说，直接用15uH的代替22uH的不会有什么问题，因为环路带宽很窄，即使电感大范围变化，也不会对稳定性有多大影响，无非是纹波电流大了些。但是既然有这个软件，我想还是可以优化一下，毕竟是举手之劳。

如何让这个电感从22uH变到15uH呢？在webench左侧有一个user preferred frequency，我们勾选这个选项，然后试着将频率提高一点的话，那么这个电感就有望减小了。

当然，频率提高，可能会影响效率，但是只要变化不大，效率也不会有大的起伏的。我们试图从默认的430KHz改为450KHz，然后点击update，新的设计参数就出来了。

非常幸运，仅仅提高20KHz的频率，就让电感量降低到了我们想要的值。然后再次点击dv/dt项，查看电感规格是否符合更新后的工作参数要求。没有问题的话，电感就选型就完了。当然，此时的输入电感也降低到了5.6uH。

接下来还有几个重要的器件要选：MOSFET、二极管、输出电容。为什么我们没有说输入电容？因为对于sepic和boost这两种拓扑，输入端直接接电感，电容上的电流是连续的，输入电容不那么重要。

首先是mosfet，参考方案用的AON7246，查看一下它的损耗，2.13W，当时我有点疑虑，这么小的封装（大约DFN3*3mm)，如何能够耗散2W多的功率？但是由于比较赶时间，也没有多想，只是在布板时将漏极铜箔尽可能地布的比较大。

接下来查看一下二极管的平均电流，其实也没什么好查的，等于输出电流3.5A错不了。那么暂且选用两个SMC封装的SS34，室温下，温度应该控制在100度以内没问题吧。

最后的输出电容，计算得到的容量约100uF，这个参数我们不要随便改动它，至少不要大范围改动它，因为涉及到环路问题。如果希望得到较小的ESR来降低电容的发热，那么只能在不改变容量的情况下选择更大体积的封装了。由于国产的电容实在是很难查到什么有用的参数，只好摸着石头过桥，放一个大点封装的，到时候根据情况调整吧。

就这样，第一个版本的电路很快做出来了，不幸的是，这个方案是彻底失败的。负载调整率、动态响应都不错，但是效率只有84%的样子。满载跑了几分钟，MOSFET温度已经超过110度了，电感和二极管温度也超过了100度！！并且，这还是开放的情况下！

改板肯定是必须的，但是改之前可以利用这个“废板”尽量做一些有价值的测试。首先换个MOSFET试试。手头有英飞凌的BSC050N04（补充说明下，对于sepic拓扑，MOSFET最大耐压接近输入输出电压之和，在这里也就是14+12=26V，在这里，选取40V耐压的比较合适）这个管子不管是Rdson还是Qg都比AON7246低得多，当然，它的价格也要高不少，我没打算用它，只是做做实验。换上这个管子，重新测试一下，效率果然提升了将近一个点，但是没有散热器，温度管子温度仍然下不来。想想，要找到比这个参数更牛的管子几乎是不可能了，那是不是LM3478的驱动能力不行呢？本想用示波器测，但是示波器太烂，测出的驱动波形根本无法让我看出准确的上升下降沿。于是回头查LM3478的datasheet，真是不该，连这个datasheet都没看一遍就做出样板了，这要怪webench，呵呵。

一查，有点心灰了，驱动管的内阻确实有点大，再回头看webench的计算结果，驱动损耗1.36W，占了MOSFET总损耗的2/3。看来，要降低MOSFET温升，外加图腾柱是没有办法避免的了。

再看LM3478的datasheet，驱动电路是经过内部稳压器供电的，IC供电电压高于7.2V时，驱动电路供电电压固定在7.2V。因此，单独加一个图腾柱还不行，还得另外给芯片加一个稳压电路，稳定电压小于等于7.2V但又要尽可能接近7.2V。这样一来，电路看似确实复杂不少，不过增加的成本还不算多，无非是图腾柱两个sot23的BJT，稳压电路用一个SOT23的BJT，一个齐纳二极管，几个电容和电阻。于是，我最后设计完成的电路就成了下面的样子。 

对了，忘了和大家说，webench最让我感觉惊喜的是，他可以直接导出设计软件相应格式的原理图文件，点击export，就会弹出以下可选格式，我上面的图就是在导出文件的基础上修改的。

现在，电路既然加了图腾柱，对于一般的管子而言，驱动能力就不在话下了，所以下面选MOSFET就可以只考虑低的Rdson，基本不考虑Qg了。当然，我们必须注意的是，由于驱动电压比较低，必须选用逻辑电平的低阈值mosfet。最后综合考虑，我选了性价比极高的AOD240，它有极低的Rdson，并且TO252的封装很适合在上面加散热器，这样也节省了铜箔散热的面积，同时减小了漏极辐射干扰。还有一个优点就是，二极管也可以选择这种封装的，这样，就可以使用同一个散热器，两个发热的大头温升问题就很好解决了。最后，二极管选择了STPS1045B。

最后没有定下来的剩下电感了。之前的电感，肯定是不能用了，在封装接近的选项中，我找到了国产的一体成型大电流电感，这种电感额定电流和导通电阻都比之前的要小很多，价格几乎是之前的两倍。不过问题不大，总bom成本还有余量。最后的布板什么的，这里就不说了，直接上实物图，这个图在我另一个帖子里面也是有的。

实物出来之后，仍然没那么顺利。焊接好后，开始上电测试。负载缓慢增加到最大一切正常，满载效率快89%了，比参考设计还略微高一点点。满载跑了半个小时，最热的是输入电感，快70度了，似乎一切都是可以接受的。

但是，最后一项测试问题就暴露出来了。。。满载上电，突然输出掉了，整版所有功率器件巨热，再测输入电压，跌倒只有8V（测试用的12V/5A 开关电源）。应该是上电瞬间电流过大，把开关电源电压拉低了，导致输入电流进一步增大，这算是LM3478一个硬伤，没有软启动功能。

作为车充，电源是电池的话可能不会出现这个问题，但是不解决这个问题毕竟是心里不踏实的，于是想起了外部增加软启动的方法。方法也很简单，就是在输出电压采样电阻上并联一个电容和一个二极管，如下面最后的图。上电瞬间，电容上电压为零，然后通过采样电阻给电容充电，电压缓慢上升，实现软启动。于是在板子上飞了条线，重新满载测试，一切正常了！ 

很不错！ 　　

IC 贵了点，其实有便宜的选择。像 FP5139（有软启动），不到 1块钱 ~

其实SEPIC，相对来说比较好设计。。。。

如果带不了很大的负载。就只需要加大电感量和加大耦合电容量来解决。。。

所以相对其它来说。。。比较容易解决。。。

其实电路可以更简单些，比如我上传的附件电路。

小题大作了。

内置功率管的，基本上不可能做到这个功率。内置功率管的，功率管电流5A基本算是很大了，但是在这里还不够，并且，功率管损耗极大，效率极低

没看错的话，你图用的上海芯龙的XL600什么的，做12V，2A差不多，再大就够呛，效率到不了85%

关注，楼主好贴啊，很详细了！赞一个！！

限流比较器可以用互感器来减少功耗，或者加一个运放，三极管都可以，整体还是更简单的

不过要说简单还是集成了mos的boost更方便些

互感器不大，但是价格是问题

集成mos的性价比不好，但是简单方便

做这个性价比最好的还是3845，电路也不复杂，估算下来成本可以更低一些，效率有可能更高，毕竟少用一级图腾，而且mos可以用高gs的

限流不一定用互感器，限流有很多解决方案的，成本都不高的

高门限的mos对于效率相当重要，常见40v耐压的mos可以做到2-3mr的

真的吗

将你做的实验贴出来，大家看看。

sepic的效率比boost低很多，xl600系列效率在这个应用中确实很难上80%

不过现在帖子里面出现的电路对于短路看上去都有不小的风险，不知道做sepic的都是怎么解决的