输入DC40-90，输出12V10A，可以用反激做么

mos管用IRF640，现在测到的D极尖峰210V了，RCD=10k+103/1kv+us2j；

波形图等下贴上来。

    初级电流波形如图，1A=100mv，用LEM的电流互感器测的，接近12A了，变压器应该饱和了

楼主好像也没有说非要隔离吧

输出是用同步整流吗？？？

这个很难整的。。。

我做一款AC60V的。在低压时，AC40V。一般都是整流桥温度高。。。

不是同步，就现在这样都头晕了还同步啊，等下一步吧，呵呵。

第一次搞反激，头大了。

重新计算的初级电感量应该是50UH左右

输入输出匝比2：1到1：1之间。

最好用1：1的。效率82%确实比较低了。。。

应该可以提高到84%。。。

你们说我一个中专文凭做什么开关电源啊，而且一搞就搞了好几年，现在越来越不懂了，苦逼啊，现在想不搞又舍不得了，哎……

没有基础就啥都没有

现在在啃赵修科老师的那本书，看了好几遍了，还是模糊，没有比我更笨的吧

还有个问题请教大家一下，这个反激的气隙是怎么确定的啊？

我是确定了磁芯和初级的匝数后，根据算出来的初级最小电感量×1.2的系数就这样调的，然后去试验，（我的产品是无尽的时间试出来的，不像那些高人是算出来的）；

这样可以么？

初次级22：14肯定可以的。

还有22可以往下调。匝数再调整一下。看哪个适合。哪个会效率高。（主要是MOS管的电压，和肖特基的电压均衡一点）。。。效率能调到最高最好。。

先用常用的气隙调。。。

然后带满载时，看变压器会不会饱和。主要就是要测试MOS管的电流波形。。。

如果电容不够，输出纹波肯定会变大。。。

如果是交流输入的，那很明显。。100Hz的水波纹。。。

我把变压器的初级电感量调成了60uh，变压器是没有饱和了，效率还是只有82%;

漏感很大，mos管的D极电压尖峰达到205v；

绕组的温升也比磁芯的大，看来圈数要减少；

输入的是直流，纹波＜1V，输出9.8A，输出纹波＜0.1V，这些先不做调整。

师长你好，这个Bm你一般选取的是多少啊，我现在是按0.16T计算，有的资料是说可以在0.2-0.3之间，反激的是不是可以最大按0.16T*2选择；

还有反射电压的选取，我按Dmax=Vor/VINmin+Vor=0.45选择的，VINmin=40V,Vor=33V，

匝比N=Vor/（Vd+Vo）=33/（0.8+12）=2.578；

初级最小电感量Lp=(（Vinmin*Ton）²*F)/2Pi=（（40*11.25*10^-6）²*40000）/2*(120/0.82)=55.48uh，加上1.2的系数=66uh；

初级最小匝数Np=(（Vinmin*Ton）/（△B*Ae）)*10^8，这个△B是应该按1600Gs呢还是1600Gs*2计算？？？

好的，我另外在计算一下；

另外下面的两个公式也帮我看看，可以这样算吗，谢谢！！！