0

回复
收藏
点赞
分享
发新帖

MOS管损原因

请问为什么在20A/600V的COOLMOS的G端上（PFC线路上），将电阻改为10欧以下时90V开机会出现损坏现象。请帮忙告知，谢谢。

全部回复(9)

只看楼主

正序查看

倒序查看

LV.8

2

2013-10-18 15:44

驱动电流太大了

MOS 虽然是电平驱动的元件，但因为半导体工艺的问题，GS 间会存在电容 Qg，MOS 的导通是将 Qg 充至一定电荷以后，才会打开；关断也是将 Qg 放至一定电荷以后才会关断

强驱的结果，不是 MOS 坏，就是 PWM IC 坏；如果你有驱动级的话，多数是 MOS 坏

弱驱的结果，MOS 会经过一个很长的线性区，也会损坏

0

回复

LV.10

3

2013-10-18 20:34

@sinican

驱动电流太大了MOS虽然是电平驱动的元件，但因为半导体工艺的问题，GS间会存在电容Qg，MOS的导通是将Qg充至一定电荷以后，才会打开；关断也是将Qg放至一定电荷以后才会关断强驱的结果，不是MOS坏，就是PWMIC坏；如果你有驱动级的话，多数是MOS坏弱驱的结果，MOS会经过一个很长的线性区，也会损坏

是真的吗？

0

回复

LV.3

4

2013-11-05 15:14

@zhenxiang

是真的吗？

谢谢。也就是说MOS管G端电阻太小，D.S端上升速率太快导致损坏对吧。但在实验中发现，在Gate端电阻上并联二极管开机也会出现损坏MOS的现象。也是这个道理吧，请指教。

0

回复

LV.8

5

2013-11-05 16:15

@超越幻想

谢谢。也就是说MOS管G端电阻太小，D.S端上升速率太快导致损坏对吧。但在实验中发现，在Gate端电阻上并联二极管开机也会出现损坏MOS的现象。也是这个道理吧，请指教。

基本上是这样， Gate 的 di/dt 上升或下降太快，都会造成损伤

就象电容充电一个原理，如果电流的变化率太大，就会造成电容损坏一样

0

回复

LV.3

6

2013-11-08 17:37

@sinican

基本上是这样，Gate的di/dt上升或下降太快，都会造成损伤就象电容充电一个原理，如果电流的变化率太大，就会造成电容损坏一样

谢谢。

0

回复

LV.9

7

2013-11-08 17:43

IGmax

0

回复

LV.6

8

2013-11-12 14:43

@sinican

驱动电流太大了MOS虽然是电平驱动的元件，但因为半导体工艺的问题，GS间会存在电容Qg，MOS的导通是将Qg充至一定电荷以后，才会打开；关断也是将Qg放至一定电荷以后才会关断强驱的结果，不是MOS坏，就是PWMIC坏；如果你有驱动级的话，多数是MOS坏弱驱的结果，MOS会经过一个很长的线性区，也会损坏

驱动电流取多大合适?或者怎么通过驱动波形判断是否全适?我在一款MOS的PDF资料上没看到有IGmax的参数.

0

回复

LV.3

9

2013-11-13 15:13

MOSFET 是电压控制器件，如果驱动电阻比较小，MOSFET 受控能力减弱；G端驱动电阻有抑制GS 振荡的作用，如果GS振荡过大，VGSP-P超过额定值，GS击穿，MOSFET 失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信号波形分析。

0

回复

LV.6

10

2013-11-14 08:07

@sinican

基本上是这样，Gate的di/dt上升或下降太快，都会造成损伤就象电容充电一个原理，如果电流的变化率太大，就会造成电容损坏一样

问个问题:减小电容充放电电流变化率一般采用什么手段?

0

回复

工程师都在看

Hirose工业连接器，强化机器人和机械设备稳固性！

【 DigiKey DIY原创大赛】基于双向电源模块设计的双向直流大功率源载一体机

电源技术砖家

【 DigiKey DIY原创大赛】2、过程篇-BME688模块的使用

无言的朝圣

【 DigiKey DIY原创大赛】基于TouchGFX的无线手势音乐播放器之方案提交

AD工程PCB文件导入LCEDA故障问题解决。

立

即

发

帖