楼主威猛！DS加47p电容是不是对100M-200M频段特别有效果？

一语中的，事前的设计远比整改有效的多；楼主的MOSFET S极串联磁珠的方法确实没有使用过；下次尝试一下；楼主对60-80M超标有没有好的方法？

按照46楼的方法，逐一检测，排除，用图表和数据说明问题。

确实不易，综合性能高确实较困难。

低压满载还是挺明显的，应该在1%-1.5%的提升。

3楼已经说的比较清楚，一般要综合电源的整体效率，MOSFET温升，电源EMI的因素综合考虑，测试确定；对于Qg较小，开关速度快得MOS比如超级结，适当增大阻值；对于普通的VDMOS则要适当减小驱动电阻。

分析总结的很有道理。

最好捉取VDS,VGS，IDS信号波形分析，重点是电流波形。你用什么型号的MOSFET，有没有规格书，核对一下规格书中的SOA，如果在SOA内，MOSFET失效，就要怀疑MOSFET品质，如果不在SOA内，就要检查你的过流保护电路。 

MOSFET是电压控制器件，如果驱动电阻比较小，MOSFET受控能力减弱；G端驱动电阻有抑制GS振荡的作用，如果GS振荡过大，VGSP-P超过额定值，GS击穿，MOSFET失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信号波形分析。

470是不是阻值有点太大了，200已经足够大了。看看保险丝有没有烧掉，整流桥是否OK。