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MOS管的栅极电阻一般取多大?

作用是限制驱动电流?
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oneday
LV.1
2
2014-01-16 09:51
调节di/dt，调整开关速度。一般选规格书的测试条件值，或者在规格书上给出的范围更加测试条件选取。
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rj44444
3
2014-01-16 11:03
二楼说的调节di/dt，控制mosfet的开启和关断时间是一方面，另一方面，加入阻尼，防止寄生电感和Cg发生振荡。这个阻值要综合考虑效率、EMI等问题，一般在几欧到上百欧
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oneday
LV.1
4
2014-01-16 11:13
@rj44444
二楼说的调节di/dt，控制mosfet的开启和关断时间是一方面，另一方面，加入阻尼，防止寄生电感和Cg发生振荡。这个阻值要综合考虑效率、EMI等问题，一般在几欧到上百欧
加入阻尼和防止Cg发生振荡那是并电容。寄生电感是天生的，要避开寄生电感引起的振荡那是要串磁珠的。发生这些的因素还是和MOS的Qg密切相关，Qg又和MOS管的工艺相关。
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rj44444
5
2014-01-16 11:17
@oneday
加入阻尼和防止Cg发生振荡那是并电容。寄生电感是天生的，要避开寄生电感引起的振荡那是要串磁珠的。发生这些的因素还是和MOS的Qg密切相关，Qg又和MOS管的工艺相关。
寄生电感是不可避免的，回路加入电阻，降低Q值，增大阻尼，衰减振荡。测一下不加这个电阻的波形就知道了。
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龙腾郭工
LV.3
6
2014-01-16 16:59

3楼已经说的比较清楚，一般要综合电源的整体效率，MOSFET温升，电源EMI的因素综合考虑，测试确定；

对于Qg较小，开关速度快得MOS比如超级结，适当增大阻值；对于普通的VDMOS则要适当减小驱动电阻。

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SKY丶辉煌
LV.10
7
2014-01-17 00:26
欠阻尼
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山东大汉
LV.10
8
2014-01-17 01:22
@rj44444
寄生电感是不可避免的，回路加入电阻，降低Q值，增大阻尼，衰减振荡。测一下不加这个电阻的波形就知道了。

如果测量的波形不好，还是要改参数的

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SKY丶辉煌
LV.10
9
2014-01-17 02:33
@山东大汉
如果测量的波形不好，还是要改参数的
大汉，你是真不睡觉啊。晚安
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赣辰实业-mike
LV.8
10
2014-01-17 10:16
根据你所需电流取值大小
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shenx123
LV.10
11
2014-01-17 10:37
@赣辰实业-mike
根据你所需电流取值大小
MOS的温升会影响的
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