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【讨论】关于反激开关电源效率的提升

如题，请大家发表见解。
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zq2007
LV.11
2
2012-02-01 14:43
1.增大高压电容容量.
2.加强变压器制作工艺,减小漏感.
3.增大分压取样电阻阻值,
4.增大LED供电电阻值,
5.减少输入热敏电阻阻值.
以上是在实际中得到的经验,
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zq2007
LV.11
3
2012-02-01 14:43
@zq2007
1.增大高压电容容量.2.加强变压器制作工艺,减小漏感.3.增大分压取样电阻阻值,4.增大LED供电电阻值,5.减少输入热敏电阻阻值.以上是在实际中得到的经验,
如大家有好的经验和方法可以探讨一下。
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mark jia
LV.8
4
2012-02-01 16:26
@zq2007
1.增大高压电容容量.2.加强变压器制作工艺,减小漏感.3.增大分压取样电阻阻值,4.增大LED供电电阻值,5.减少输入热敏电阻阻值.以上是在实际中得到的经验,
降低Dmax=0.35
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ymyangyong
5
2012-02-01 22:29
@zq2007
如大家有好的经验和方法可以探讨一下。
有源钳位和同步整流也算提高效率的办法。
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zq2007
LV.11
6
2012-02-02 10:29
@mark jia
降低Dmax=0.35

材料选择方面有什么好的建议呢？


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zvszcs
LV.12
7
2012-02-02 10:48
@zq2007
材料选择方面有什么好的建议呢？
高频低阻电容式必须的
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zvszcs
LV.12
8
2012-02-02 10:50
@zvszcs
高频低阻电容式必须的
加大变压器磁芯
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yong168
LV.7
9
2012-02-02 22:13
@zvszcs
加大变压器磁芯
增大变压器初级的电感量
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xgipm
LV.6
10
2012-02-03 08:24
加大磁芯既可减小匝数、减小铜损，也能减小Bm、减小磁损，同时也利于散热。故一般选取的磁芯比用AP法计算的大。当然大得要适度，保证体积较小。当铜损与磁损接近时，效率较高。
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zq2007
LV.11
11
2012-02-03 14:29
@xgipm
加大磁芯既可减小匝数、减小铜损，也能减小Bm、减小磁损，同时也利于散热。故一般选取的磁芯比用AP法计算的大。当然大得要适度，保证体积较小。当铜损与磁损接近时，效率较高。
使用超低Vf值的肖特基也是一种方法。
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火狐
LV.4
12
2012-02-03 15:18
适当选择开关频率,选Rds(on)值少的开关管,并配合适的驱动,变压器磁芯选刚好,不宜选得过大.
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cheng111
LV.11
13
2012-02-03 19:47
@火狐
适当选择开关频率,选Rds(on)值少的开关管,并配合适的驱动,变压器磁芯选刚好,不宜选得过大.
方法很多，不过需要有实际的例子。开关管的寄生参数减小也是一个办法。
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ufw00
LV.5
14
2012-02-04 08:39
@cheng111
方法很多，不过需要有实际的例子。开关管的寄生参数减小也是一个办法。
Layout也是一个重点，大电流走线，环路走线这些，如果板子没画好选再好的材料也没用！
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on_the_way_li
LV.9
15
2012-02-04 14:39
如果综合上面的这些方案，进行折中处理，应该效率做很高了。但要考虑成本。。
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xpt-2
LV.5
16
2012-02-04 14:43
如果基本性能已过了，那么关键问题就在于将漏感产生的反电势回收利用。
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mofa520
LV.8
17
2012-02-04 14:54
@zq2007
1.增大高压电容容量.2.加强变压器制作工艺,减小漏感.3.增大分压取样电阻阻值,4.增大LED供电电阻值,5.减少输入热敏电阻阻值.以上是在实际中得到的经验,

MOSFET ，Transformer，次极二极管，这三个器件很关键了！

这三个器件的取值和外围电路很关键了！

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cheng111
LV.11
18
2012-02-04 18:28
@on_the_way_li
如果综合上面的这些方案，进行折中处理，应该效率做很高了。但要考虑成本。。
折中，开关电源设计需要考虑的就是这个。
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zq2007
LV.11
19
2012-02-09 21:00
@xpt-2
如果基本性能已过了，那么关键问题就在于将漏感产生的反电势回收利用。
效率的提升就是为了降低产品温升。
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Ai-China
LV.5
20
2012-02-10 15:26
用准谐振+谷底切换。
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ctx1211
LV.7
21
2012-02-19 22:27
@zq2007
1.增大高压电容容量.2.加强变压器制作工艺,减小漏感.3.增大分压取样电阻阻值,4.增大LED供电电阻值,5.减少输入热敏电阻阻值.以上是在实际中得到的经验,

楼主应该继续讲下去啊

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zq2007
LV.11
22
2012-02-20 07:41
@Ai-China
用准谐振+谷底切换。
在变压器上有什么措施可以提升效率呢？
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雪花梅花
LV.6
23
2012-02-20 16:00
@zq2007
如大家有好的经验和方法可以探讨一下。
选用合适的方案,以及好的变压器,好的MOS and schottky
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火狐
LV.4
24
2012-02-20 16:38
@zq2007
在变压器上有什么措施可以提升效率呢？
绕组采用多股线,如0.1X30--100.并尽量减少漏感.
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zq2007
LV.11
25
2012-02-20 20:51
@火狐
绕组采用多股线,如0.1X30--100.并尽量减少漏感.
好像提升效率一定会增加成本，是这样吗？
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ctx1211
LV.7
26
2012-02-20 21:19
@zq2007
好像提升效率一定会增加成本，是这样吗？

不一定吧？

 

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zq2007
LV.11
27
2012-03-01 21:19
@ctx1211
不一定吧？ 
楼上有什么观点，可以说出来探讨一下。
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cheng111
LV.11
28
2012-03-02 00:08
@ctx1211
不一定吧？ 
在电源设计好之后一般都是如此，如果效率高了，成本还下降了，只能说明前面的没有设计好。但是牺牲其他性能来提高效率除外。
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zq2007
LV.11
29
2012-03-02 20:40
@cheng111
在电源设计好之后一般都是如此，如果效率高了，成本还下降了，只能说明前面的没有设计好。但是牺牲其他性能来提高效率除外。

我还发现一个问题，有些工程师做出来的产品，要么能过能效，要么能过EMC，不能兼顾。

大家有碰到这样的问题吗？

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火狐
LV.4
30
2012-03-02 21:20
@zq2007
我还发现一个问题，有些工程师做出来的产品，要么能过能效，要么能过EMC，不能兼顾。大家有碰到这样的问题吗？

两者关联大的地方在变压器的工艺,加紧耦合时EMC会变差.能效提高,减少耦合能效变差.EMC变好,这方面是有矛盾的.

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livanfield
LV.5
31
2012-03-06 19:56
@火狐
两者关联大的地方在变压器的工艺,加紧耦合时EMC会变差.能效提高,减少耦合能效变差.EMC变好,这方面是有矛盾的.
要想增加效率，占空比应该是加大还是减少呢？
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