边柱垫气隙比中柱磨气隙漏感小、效率高、温升低，但干扰大，可外包铜皮。气隙在中心柱时，靠近气隙位置线圈形成的部分磁力线会形成局部小包围，这部分磁力线未穿绕外围线圈使漏感增大。气隙边缘的磁力线会向外围发散即所谓的边缘磁通效应，气隙部位的线圈在导线内部形成涡流，引起局部绕组发热，温升过高。气隙附近少绕线可降低漏感，边柱垫气隙时，气隙处也会有漏磁，不过它们大多通过磁芯引导穿过了其它线圈，属于有效耦合，故漏感相对较小。

TL431的KA极间最低工作电压2.5V，光耦初级压降1.6-2V，R8两端电压5-2.5-2＝0.5V，TL431静态电流大于0.6mA，因DH321的FB即3脚内部供电恒流源为0.9mA，如果光耦初次级电流比为1.56:1，则初级最大电流为1.4mA，则流过R8的电流为2mA，0.5V/2mA=250欧，故R8可取250欧以下。R7=1.6V/0.6mA=2.7K，故R7最大值为2.7K，取1-2K为宜。R7为4.3K时，1.6V/4.3K=0.37mA，输出电压还未上升到正常值5V时，光耦已有电流通过（0.6-0.37＝0.23mA），会导致输出电压偏低。[图片] 

不是初次级变成了导线，是初次级并上了导线，此时变成了导线是在特殊情况下的等效，导线并上任何器件均可等效成导线。虽然匝比关系依然存在，但被导线短接掩盖了。

无漏感变压器初级励磁电感被次级短接的导线折算后短接了，有漏感时短接的导线变成了次级折算过来的漏感与短接导线。即短接的导线变成了导线加漏感。

初次级的漏感磁路是有差异的，当然要分初次级。如果依你所说，各绕组的漏感与匝比的平方成比例关系。

是短路FE  漏感是分散存在的，不是集中可分离的。漏感不通过主磁路，但电流要通过漏感，漏感和励磁电感中的电流同时存在不能分离。  理想无漏感状态下，次级短路时，初、次级励磁电感两端电压为零，初、次级励磁电感在电压为近似理想的零时能产生任意大小的电流。非理想的次级有漏感，产生电流需要电压克服漏感产生电流，即次级漏感会反射到初级中。

1、选用频率特性更好的开关管。2、增大设计的占空比，减小关断期间存储时间的相对影响，即间接降低切换频率。这样表述更易理解：功率不变时，占空比越大，峰值电流越小，开关管关断时的损耗越小。

之所以为CCM工作模式，是因为在开关管关断期间磁芯的磁能在副边没有完全释放完毕，开关管再次开通时磁芯的激磁电流有剩余，开关管再次导通时，电流从这个剩余电流平台开始上升，即出现CCM模式的侧梯形电流波。当副边包括辅助绕组在内的电流都降为零即都是三角电流波时，磁能已释放完毕，开关管再次导通时电流从零开始上升，即脱离CCM模式进入DCM模式。CCM模式在负荷减轻、副边电流都是三角形时转入DCM模式，负荷加大时又回到CCM模式。设计时要求在最恶劣情况下，即最低输入电压和满负荷情况下按CCM模式设计。原边电流为梯形时就是CCM模式，原边电流为三角形时就是DCM模式。

   我是这么思考的：对开关管来说导通损耗与关断损耗相互矛盾。导通压降大导通损耗大，但结电容相对较小，关断时的存储和下降时间短，关断损耗小。工作频率高时关断损耗突出，这时要选高频管重点降低关断损耗，这时输入电压越高，关断损耗也越大。工作频率低时，导通损耗突出，这时要选低频管重点降低导通损耗，这时输入电压越低，导通损耗也越大。输入电压高时效率降低明显，说明开关管频率特性不够。

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