关于次级RCD吸收和效率的怪现象！

2.加了RC吸收：C：220PF  R：15R

继续。。。。。。。

3，将C增大为470PF   R15R不变

VIN：85---265VAC         VO：38V    IO：200MA  

FW：110VAC时55KHZ  D：33%        230VAC时：70KHZ   D：18%    

MOS：6N60

变压器：RM6        NP：NS=100：28   LP=1.75mH

在调试中有以下问题：

1，次极现在用的是3A200V的肖特基，在265VAC时被击穿！ 测试了见1贴中可知 起锋值在170V，  为什么会击穿呀？

2.对于以上三组图，郁闷的是为什么加了吸收的峰值电压还要比不加的高20V？？

3.在VIN：110V时  效率有87.5%，在230V时，效率只有84.5%，

我的分析是；在低呀主要是导通损耗了。在高压主要是开关损耗！

但是不知道怎么可以解决啊？？？

请各路高手讲解讲解，以上是什么原因？要怎么解决啊？？

对于上速的三个问题：

１.测试的是变压器输出两脚的电压，难道30V的余量还不够么?

2. 这个就真的不怎么明白了,按照正常的 话应该加RC吸收后锋值电压应该会低一些!

3.导致效率偏差这么大,是MOS用得太大,难道是MOS的结电容太大?引起在高压是开关损耗太高?

路过的高手来来说说．．．．．．

你把电路图拿出来,可能加错了

我也不相信啊　　但实际情况就是这样的啊，

我反复测试了两次！

上面说的是次级D,不是MOS!

原理图等一下会上  !

同意11楼兄弟的说法   有时候实际走线以及设计刚好能很好工作  加了吸收反而不好

你用6N60，才8W左右啊，为什么用那么大的MOS呢？公司很富有吗？

不好意思呀   明天传上来，太忙了，给忘记了！

电压高了,二极管的选择是个问题!你可以考虑换个UF5404来试试看波形的变化.

反正你的电流只有200mA那就用耐压高点的肖特基咯。比如HER304  UF5408这样的

之前也做了几款，但没有遇见过这样的现象！

谈谈我的理解

      当反向恢复时间以存储时间为主时，即只考虑存储时间不考虑下降时间的影响时，反向恢复期间二极管仍然为正向电压，即反向恢复期间二极管本身主要是输出能量、损耗小。即反向恢复期间给电路提供了流通的电量（即反向恢复电流*反向恢复时间）此电量取决于转换前正向电流的大小。
     前级开关管导通起始瞬间，次级二极管进入反向恢复期间为短路状态，开关管电流受限于较小的漏感和线圈电阻，初次级电流尖峰会很大（当然初级还另含有线圈寄生电容的电流尖峰）。次级二极管储存的电荷释放完毕后次级才真正关断（当然还有部分分布电容形成的电流回路），此后次级漏感尖峰电流要通过寄生电容续流，从而产生反向电压尖峰（此状态有点类似前级开关管关断时的状况）。次级整流二极管并电容可降低电压尖峰，降低二极管的耐压要求。
     如果次级整流二极管是没有反向恢复电流的肖特基二极管，前级开关管导通时，次级电流回路剩下寄生电容，电压尖峰会显著下降，如果此时二极管并上的电容不合适，反而会给次级漏感提供电流通路，加大电压尖峰。
     对于DCM来说，因二极管翻转之前的正向电流为零，不存在反向恢复电流的影响，可不并电容，否则也有可能加大尖峰电压。

1,热损坏;

2,DCM不用加吸收,会带来意想不到的结果;

3,变压器设计不合理,正常情况下应该是高压效率高.