MOS管的RCD吸收回路电阻电容位置

我想请教一下.我用UC3843这种电流控制芯片来做BOOST电路。我看到TI的典型应用电路中,吸收回路是并联在MOS管漏极和地之间的,而另一个资料介绍flyback吸收回路时,明确提出,吸收回路要放在MOS管漏极和源极之间。请问，RCD到底该放在哪个位置呢~

全部回复(2)

只看楼主

正序查看

倒序查看

2013-11-29 16:46

实际调试的结果，没有硬性规定

真要说是吸收好不好，还要看实测的数据说话。

另一个例子：在原来公司测MOS管的VDS时，示波器探头是夹D极与地

现在的公司是D极与S极，实测两个点也没多少区别

LV.1

2015-01-06 09:23

关注，同求解答

工程师都在看