前几天发帖讨教关于ESR检测的问题，朋友说用交流电桥，于是上网淘，发现价格都几千，自己的小工作室目前还不能承受。
于是想到小米加步枪——DIY，画个电路，向大家讨教：
该电路想实现：
1、检测电容的实际击穿电压
2、检测纹波电流与电容温升的关系
3、检测电容的ESR
4、检测电容内部引线及铆焊点等刚好不能承受的最大损坏电流。
主要是对买来电容入库之前，进行检验或核实，不追求高精度，但求心里有数。
关于自制电容多参数检测电路问题【DIY】
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@358858518
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谢谢！
我是这样想的，最大损坏电流是瞬间电流，可以在平均电流和外壳温升很小的状态下进行，所以想长时充电-瞬间大电流放电，只在放电过程中实现这个检测。电流由Rd调整，开关管的Ron与r、Rd、Rcs共组放电电阻，电流由Rcs通过示波器Y1通道检测。
测ESR时用Y2，Rcs不用，也是长时充电-瞬时大电流放电，但电流应远小于上述最大损坏电流。开始放电瞬间，纯电容还没来得及放电，保持原来电压，但由于r上通有较大电流而产生压降，Y2波形上会出现瞬时下降的电压ΔV，同时在Y1通道检测出起始放电电流Istart，那么就可评估出r=ΔV/Istart。
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@问问达达
谢谢！我是这样想的，最大损坏电流是瞬间电流，可以在平均电流和外壳温升很小的状态下进行，所以想长时充电-瞬间大电流放电，只在放电过程中实现这个检测。电流由Rd调整，开关管的Ron与r、Rd、Rcs共组放电电阻，电流由Rcs通过示波器Y1通道检测。 测ESR时用Y2，Rcs不用，也是长时充电-瞬时大电流放电，但电流应远小于上述最大损坏电流。开始放电瞬间，纯电容还没来得及放电，保持原来电压，但由于r上通有较大电流而产生压降，Y2波形上会出现瞬时下降的电压ΔV，同时在Y1通道检测出起始放电电流Istart，那么就可评估出r=ΔV/Istart。
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@问问达达
学习了。记得以前从哪个厂家规格书里见过这个dV/dt的参数，是薄膜电容类的，大容量的电解电容好像没有，可能是一般情况下用不到吧。
找到一份关于dV/dt的资料：
是金属化聚酯薄膜电容
脉冲处理能力
dV/dt——表示单位时间内电容允许的非正弦电压最大变化，单位为V/mS。
K0——表示加到电容上波形的最大允许脉冲，表示在V2/ms。
注意：
电路工作时，相关参数不得超过dV/dt和K0值，以免导致电容损坏。
(以下是原文)
Pulse handling capability
"dV/dt" represents the maximum permissible voltage change per unit of time for non-sinusoidal voltages, expressed in V/ms.
"k0" represents the maximum permissible pulse characteristic of the waveform applied to the capacitor, expressed in V2/ms.
Note:
The values of dV/dt and k0 provided below must not be exceeded in order to avoid damaging the capacitor.
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@问问达达
找到一份关于dV/dt的资料：是金属化聚酯薄膜电容[图片] 脉冲处理能力dV/dt——表示单位时间内电容允许的非正弦电压最大变化，单位为V/mS。K0——表示加到电容上波形的最大允许脉冲，表示在V2/ms。注意：电路工作时，相关参数不得超过dV/dt和K0值，以免导致电容损坏。 (以下是原文)Pulsehandlingcapability"dV/dt"representsthemaximumpermissiblevoltagechangeperunitoftimefornon-sinusoidalvoltages,expressedinV/ms."k0"representsthemaximumpermissiblepulsecharacteristicofthewaveformappliedtothecapacitor,expressedinV2/ms.Note:ThevaluesofdV/dtandk0providedbelowmustnotbeexceededinordertoavoiddamagingthecapacitor.
这些电容虽然电压有的较高，但容值uF级都比较小，电流可以大一些能量相对较小。而对于高压大容量的电解电容，情况可能要严重一些了。对于做普通开关电源的朋友来说，讨论这个电流意义不大，毕竟这么多年没关注也没出现什么问题，但对于特殊电源来说，这个参数可能关系到产品的体质或寿命。
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@358858518
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这样说来，电解电容是介于电容和电池之间的元器件了，这样理解对吗？
我喜欢别人和我唱反调，呵呵
前面说到Ipk = C(dV/dt)，是说对于确定容量的电容来说，dv/dt实际代表电流大小
而K0，从注释和单位上看，对于确定容量电容，K0好像代表瞬时功率，
因为储能Ec=1/2·C·(V^2)，K0=(V^2)/t，
所以瞬时功率P=Ec/t=1/2·C·K0 =0.5 · C · K0
觉得过流损坏电容的根本还是在能量或功率，而不是只有电流一个指标。
在想，厂家为什么要给这个K0参数？是否像我上面不严谨的理解那样呢？
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@358858518
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嗯呢，刚才看了你的帖字，想了好多，瞬间大电流对电容的破坏，可能与其它力学光学等常见的破坏有相似之处，比如：
1、能量的空间密度——放大镜聚光能点燃东西，平均功率并不大，但在空间上的光斑很小，局部功率较大
2、能量的时间密度——脉冲激光器，平均功率也不大，但时间很短，瞬时功率很大
3、力的空间密度:压强P=F/S———图钉两端，一端安全另一端伤手，是否遭到破坏取决于单位空间(面积)的力
能量和力，是产生破坏的两种物理量。
能量致损的原因，大部分是发热以及发热产生的连带作用，或是转化为机械能的破坏力。
力致损的原因，应该是使物体屈服于破坏力，进而导致分子和原子结合上的结构变化。
这样理解不知对不对？
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@358858518
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回到主题，超过电容耐压的过压击穿，电子的“力”超过了绝缘体所能承受的强度？
而过流烧损，主要是电能转化为热能，即发热，同时散热跟不上导致温升，温升高到一定程度，器件变性或工作参数改变，最后导致异常。这是平均电流的致损。
另外平均电流不大，但在“空间上的局部”和“在时间上的瞬间”电流密度较大，我想到的还是发热能量，因为空间小时间短，尽管几乎没有通常考虑的散热余地，但局部和瞬间的热传导性能，以及材质及结构是抵抗这种破坏的主要因素。
在论坛中看到多次“电压应力”和“电流应力”这两个词，现在还是不理解，但觉得和器件安全有关。
这两种“应力”是否和以上说的有关联呢？
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@问问达达
回到主题，超过电容耐压的过压击穿，电子的“力”超过了绝缘体所能承受的强度？ 而过流烧损，主要是电能转化为热能，即发热，同时散热跟不上导致温升，温升高到一定程度，器件变性或工作参数改变，最后导致异常。这是平均电流的致损。另外平均电流不大，但在“空间上的局部”和“在时间上的瞬间”电流密度较大，我想到的还是发热能量，因为空间小时间短，尽管几乎没有通常考虑的散热余地，但局部和瞬间的热传导性能，以及材质及结构是抵抗这种破坏的主要因素。 在论坛中看到多次“电压应力”和“电流应力”这两个词，现在还是不理解，但觉得和器件安全有关。这两种“应力”是否和以上说的有关联呢？
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