驱动的疑惑

帮忙解释下为什么后面的图比前面的图MOS温升高？黄色是驱动电阻前蓝色是驱动电阻后面（MOS的G级）波形

掉下去了  大家帮忙分析下

你的门级驱动电阻怎么选的，貌似下图的大些啊。

MOS 的导通与 Qg 是有关的，你所看到的驱动上升波形实质上也是一个给 Qg 充电的过程

Qg 充至某点时， MOS 才会呈开关态，某点以下就处于线性区；同样放电也一样

从驱动波形看， Qg 的充电过程当中，后者没有顺畅的提升; 或者说驱动电阻有些大或驱动波形不稳

按理讲，是不是下图的MOS交叉耗热应该比上图小才对？

上图驱动22欧姆  下图10欧姆

应该把关断的波形也抓出来，才能分析；

也许第2个关断时波形不好

我怎么看 安原理讲，驱动陡峭有利于MOS的开通，开关损耗小，但是我实测 驱动电阻10的比22的MOS温升还高，就是不理解为什么

关断 10也比22的好  空了我去抓下

下午回来再去抓下 关断波形

MOS 的温升是 开关损耗 和 导通损耗 的集合

是同时在变哦   还要继续实验一定要找到原因

看关断也是10欧的好，确实不解；

确定测试条件是一致？

同等条件，用FULKE17B自带的温度探头高温胶带包到MOS上测得

查了一下书，要考虑MOSFET的门限电压。一般而言，如果门限电压大于2V，那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值小一些可以减小开关损耗；如果门限电压小于2V,那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值大一些好。

谈一谈MOSFET的温升。

1,MOSFET的温升与损耗相关，Fet的损耗包括开关损耗和导通损耗；

2,导通损耗的计算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---与门级驱动没有什么关系；

3,所以我们的重点是分析开关损耗，下面我们看看开关损耗的计算公式

A， Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw (电阻负载)

B， Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw (电感负载)

从上面的公式，我们可以看出开关损耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情况下，与电流与电压的交叉时间 Tcross关系很大(也就是门极驱动)

C,  基本上Tcross由Fet的栅极充、放电时间常数Tg= Rdrive*Cg 和门限电压Vt来决定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg为输入电容，Rdrive 为驱动电阻)

估计是开关速度快会导致VDS承受更大的尖峰。

如果上VDS波形，可能会看出点什么来。

mos的温升与下降时间关系较大，看了你这个下降的时间两个电阻相差不是太大，会不会是其他的原因引起的呢？