木有看见你的原理图啊！

简单的讲，所谓线性调制率和负载调制率的目的就是要考察电源的稳定性，也就是电源的环路设计是否合理。一般来讲，我们计算的都是取极端值，最大和最小值。不会出现负数，因为是取绝对值。

 谈一谈MOSFET的温升。1,MOSFET的温升与损耗相关，Fet的损耗包括开关损耗和导通损耗；2,导通损耗的计算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---与门级驱动没有什么关系；3,所以我们的重点是分析开关损耗，下面我们看看开关损耗的计算公式A，Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw(电阻负载)B，Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw(电感负载)从上面的公式，我们可以看出开关损耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情况下，与电流与电压的交叉时间Tcross关系很大(也就是门极驱动)C, 基本上Tcross由Fet的栅极充、放电时间常数Tg=Rdrive*Cg和门限电压Vt来决定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg为输入电容，Rdrive为驱动电阻)

查了一下书，要考虑MOSFET的门限电压。一般而言，如果门限电压大于2V，那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值小一些可以减小开关损耗；如果门限电压小于2V,那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值大一些好。

 1,负载调整率测试:以AC输入为例，输入220Vac，测得负载为50%条件下的输出电压为V1；然后将负载调至空载0%，测得电压为V2;最后将负载调至满载100%，测得电压为V3,负载调整率＝|V2-V1|/V1×100%与 |V3-V1|/V1×100% 中的最大值                 2,电压调整率测试：  以AC输入为例，输入220Vac，负载满载时，读取Vo电压表数据V4，调节输入电压Vin=85Vac，从万用表上读取输出电压V5，然后再调节Vin＝264Vac，从万用表上读取输出电压V6，      则电压调整率为: |V5-V4|/V4×100%与 |V6-V4|/V4×100% 中的最大值3,稳压精度测试  断开所有负载，分别测得Vin=85Vac,Vin=264Vac输入条件下的输出电压为V6，V7      则稳压精度为：|V2-V4|/V4×100%,|V3-V4|/V4×100%,|V6-V4|/V4×100%，|V7-V4|/V4×100%中的最大值。 一般来讲温升器件主要包括功率级电感，FET，Diode，主变压器，散热片等。机内的温度必须严格控制，一般可采用风冷的方式。

论坛里，请注意你的言行，不看你可以绕道啊。

谢谢分享。

绕制的时候，尽量均匀，不要集中在一头或者交叉。

你的门级驱动电阻怎么选的，貌似下图的大些啊。

谢谢！~[图片]