关于SPWM死区时间设定问题：
假设用PIC单片机，晶振4MHz，那么一个指令周期就是1us,那死区时间就只能是1us的整数倍了，假如晶振用16MHz，那死区时间就是250ns的整数倍了！
屹晶的SPWM驱动板，有四个死区时间选择：300ns,500ns,1us,1.5us,他们的晶振12MHz，是不是理论上的死区时间就是333ns的整数倍？这个和他们的标称不一致。
谁知道一般单片机里的死区时间是不是就这么设定的"nop"----空操作（及其整数倍）指令作为死区时间？
关于SPWM死区时间设定问题：
假设用PIC单片机，晶振4MHz，那么一个指令周期就是1us,那死区时间就只能是1us的整数倍了，假如晶振用16MHz，那死区时间就是250ns的整数倍了！
屹晶的SPWM驱动板，有四个死区时间选择：300ns,500ns,1us,1.5us,他们的晶振12MHz，是不是理论上的死区时间就是333ns的整数倍？这个和他们的标称不一致。
谁知道一般单片机里的死区时间是不是就这么设定的"nop"----空操作（及其整数倍）指令作为死区时间？
