你把PCB截个图出来，标记一下各点波形。今天仔细看了一下你的描述，你说的是驱动输入端电压变低，和我以前遇到的还不一样。可以这样试试：1.断开驱动芯片到MOS的回路，把MOS栅极拉到地，这个状态看信号是否正常。信号正常说明功率回路与信号地有共用回路，导致逻辑电平受干扰。2.断开驱动芯片输入信号，驱动芯片输入端拉到地，测试此时逻辑信号是否正常。

以前碰到过相似波形，原因是mos驱动芯片的地饶了一大圈才到mos的s极。你可以检查一下驱动线路是否绕远了或者驱动回路与功率回路的地有公共部分。

桥式整流就不存在这个可能了。

电压不对称是因为初级线圈对两个次级线圈的漏感不一致引起的。初级与次级的漏感主要由相对位置决定，保证两个次级对初级的相对位置一致，漏感的差别就会小很多。尝试过次级双线并绕两层，一、二层都按照1,2顺序绕漏感差别较大，后来改为一层1、2绕，二层2、1绕漏感差别就小很多。

在MOS关断信号前上翘，那就说明变压器磁芯饱和了，需要改一下变压器匝数和气隙。

这个IC应该是初级的反激电源控制IC。把电源脚，地线脚，电流检测脚，PWM信号脚等功能脚确定后，到各个做控制IC的厂家网站去找6条腿的IC，各个脚可以对应起来的就是了。

如果LED灯拉的比较远的话，导线会有一定的电感，在关断时会产生较大的尖峰电压击穿MOS。如果这个导线电感存储的能量超过MOS可以承受的雪崩能量，MOS就可能挂掉。你用示波器捕捉一下LED关断时MOS的DS上的电压看看，可以尝试在MOS的DS并大功率TVS管把尖峰电压钳住。

你的这个V+的公式只是算出来V+对Vref的电压，对地电压还要加一个Vref。

这个电容影响不大。最好还是找到烧电容原因。1.输入有过电压？2.温度过高？3.电容品质问题？

结果错了吧。按照你的公式要是V2=V1，Vout=-R3/R1*Vref。这个是基本的差分放大叠加直流偏移，Vout=(V2-V1)*R3/R1+Vref。V+的计算公式错了。