用UC3843搭了个电路，但是低温试验下，起机不正常，炸机，附MOSFET驱动与DS波形，请大家帮忙分析下。

常温时可以，低温下不行，用的FQA13N80以及UC3843电路。波形上边一个为Vds波形，下边一个为对应的Vgs波形，不知道为何MOSFET在电源打嗝不停重启动期间，没有由截止进入饱和？图中为低压100Vac下的输入下的轻载波形。高压下265Vac输入时，启动就很容易炸机了。明显MOSFET的工作状态异常。

为了对应EMI，所以驱动电阻为10+39欧；放电时反并一个1N4148在39欧上。其他基本上与普通3843无区别。

现在就是想分析下，MOSFET为何在高占空比下，不进入导通状