我做实验,当开关频率升高到800kHz后,MOS管的开关损耗大发热严重,当开关频率降低到100kHz-200kHz范围,MOS管发热可以接受。
我想问现阶段,开关电源的频率选择多少kHz的较多,按照频率越高器件可以选择小的理论,如何去妥协发热和体积?
我做实验,当开关频率升高到800kHz后,MOS管的开关损耗大发热严重,当开关频率降低到100kHz-200kHz范围,MOS管发热可以接受。
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