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PS501不错

PS501感觉不错﹐但要我一个月几千K的去量产﹐我实在是没有把握﹐TI的BQ系列又贵.
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caolin123
LV.5
2
2004-11-05 07:23
先不要用501做吧,都不是很稳定.
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争锋
LV.5
3
2004-11-05 11:11
@caolin123
先不要用501做吧,都不是很稳定.
有什么问题?请告诉我,我正在批量生产
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jeetli
LV.3
4
2004-11-05 18:46
@争锋
有什么问题?请告诉我,我正在批量生产
PCB與電池連接時要按順序從GND開始﹐逐次連上去﹐如不按順序IC會發燙
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sam_ho
LV.2
5
2004-11-26 17:41
@jeetli
PCB與電池連接時要按順序從GND開始﹐逐次連上去﹐如不按順序IC會發燙
**此帖已被管理员删除**
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sam_ho
LV.2
6
2004-11-26 17:46
@jeetli
PCB與電池連接時要按順序從GND開始﹐逐次連上去﹐如不按順序IC會發燙
关于PS501与电池的连接顺序,不管是从GND--到高,或从高到低都不会有问题.但是如果不是顺序连接的话就有可能损坏PS501.  如果使用Seiko的S8254做保护芯片,最好是从高到低来连接,S8254不会保护,反过来连接会引起放电保护.
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2004-11-28 15:43
@争锋
有什么问题?请告诉我,我正在批量生产
**此帖已被管理员删除**
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sam_ho
LV.2
8
2004-11-29 17:26
@无相为宗
**此帖已被管理员删除**
苏生,你能提供更多的关于GC1318的方案信息吗?是贵司开发的芯片还在用其他MCU做的专用芯片?价格怎么样?包括GC1318芯片和整体方案的成本.
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xing_xf
LV.7
9
2004-12-01 20:50
@sam_ho
**此帖已被管理员删除**
能否将资料给我发一份,xing_xf@163.com
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xing_xf
LV.7
10
2004-12-01 20:55
@无相为宗
**此帖已被管理员删除**
费用?
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2004-12-04 10:23
@xing_xf
费用?
问题不是在费用,是在 贵公司的项目上是不是有前景?
如果是有前景,我们是可以提供免费的服务.
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jiurl
LV.5
12
2005-01-13 13:30
@sam_ho
关于PS501与电池的连接顺序,不管是从GND--到高,或从高到低都不会有问题.但是如果不是顺序连接的话就有可能损坏PS501.  如果使用Seiko的S8254做保护芯片,最好是从高到低来连接,S8254不会保护,反过来连接会引起放电保护.
如果用MM1414做保护芯片应该是怎么连接方式
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willzhang
LV.4
13
2005-01-13 16:20
ps501确实不错,各项性能指标均能让最挑剔的客户满意.唯有一点,输入电压的耐压偏低,只有20V,要知道面对16.8v的电池,最好有30V的耐压才保险;20V好像有点太冒险.
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jiurl
LV.5
14
2005-01-13 16:37
@willzhang
ps501确实不错,各项性能指标均能让最挑剔的客户满意.唯有一点,输入电压的耐压偏低,只有20V,要知道面对16.8v的电池,最好有30V的耐压才保险;20V好像有点太冒险.
我正在考虑利用PS501和MM1414做笔记本电池,有什么好的建议
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willzhang
LV.4
15
2005-01-13 16:49
@jiurl
我正在考虑利用PS501和MM1414做笔记本电池,有什么好的建议
破坏别人生意的事情我实在不想做 --:(
但我要说的是,PS501这个缺陷实在很重要,一定要用的话,在各电压输入端多加防护吧.

另外,PS501的电流检测和电压检测8路信号公用A/D,轮流切换需要时间,所以面对那些可能考测脉冲放电的客户慎用,可能会丢失电流信号.
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jiurl
LV.5
16
2005-01-13 17:53
@willzhang
破坏别人生意的事情我实在不想做--:(但我要说的是,PS501这个缺陷实在很重要,一定要用的话,在各电压输入端多加防护吧.另外,PS501的电流检测和电压检测8路信号公用A/D,轮流切换需要时间,所以面对那些可能考测脉冲放电的客户慎用,可能会丢失电流信号.
非常感谢,我会考虑.
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cyc753
LV.2
17
2005-01-14 11:39
@willzhang
破坏别人生意的事情我实在不想做--:(但我要说的是,PS501这个缺陷实在很重要,一定要用的话,在各电压输入端多加防护吧.另外,PS501的电流检测和电压检测8路信号公用A/D,轮流切换需要时间,所以面对那些可能考测脉冲放电的客户慎用,可能会丢失电流信号.
willzhang 你在这方面真是个专家,PS501用在大容量方面比BQ好,因BQ最大只能10A,
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jiurl
LV.5
18
2005-01-14 13:50
@willzhang
破坏别人生意的事情我实在不想做--:(但我要说的是,PS501这个缺陷实在很重要,一定要用的话,在各电压输入端多加防护吧.另外,PS501的电流检测和电压检测8路信号公用A/D,轮流切换需要时间,所以面对那些可能考测脉冲放电的客户慎用,可能会丢失电流信号.
在别的帖子里看到您的MM1414方面的观点.想请教一下

MM1414这个芯片我也在用,电路采用应用手册上给出的电路,在第三脚上串联了一个100欧的电阻.但是看到MM1414的资料上介绍它的过流保护电压在0.15V,这个检测电压是否为靠近B+的那个MOSFET两端的电压?加上这个电阻是分那里的电压?TCOL1,TCOL2,TCOL3这3个时间当中是否有一个为芯片内部固定时间,一般情况下短路保护时间是多少?顺便问一下大侠短路保护一般怎么做.

S8254是否也有和MM1414一样的问题.
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willzhang
LV.4
19
2005-01-15 23:19
@jiurl
在别的帖子里看到您的MM1414方面的观点.想请教一下MM1414这个芯片我也在用,电路采用应用手册上给出的电路,在第三脚上串联了一个100欧的电阻.但是看到MM1414的资料上介绍它的过流保护电压在0.15V,这个检测电压是否为靠近B+的那个MOSFET两端的电压?加上这个电阻是分那里的电压?TCOL1,TCOL2,TCOL3这3个时间当中是否有一个为芯片内部固定时间,一般情况下短路保护时间是多少?顺便问一下大侠短路保护一般怎么做.S8254是否也有和MM1414一样的问题.
应用手册中串这么一个电阻,防静电、冲击的考虑为主.
短路保护和过流原理一样,在MOSFET上的压降大于某一值且长于某一时间时,短路保护触发.不同芯片各有不同,一般过流比较长,短路比较短.

没有仔细看过S8254的SPEC,都是日本人的东西,看起来不爽,能不用就不用.
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qiuyy
LV.6
20
2005-01-17 09:06
@willzhang
应用手册中串这么一个电阻,防静电、冲击的考虑为主.短路保护和过流原理一样,在MOSFET上的压降大于某一值且长于某一时间时,短路保护触发.不同芯片各有不同,一般过流比较长,短路比较短.没有仔细看过S8254的SPEC,都是日本人的东西,看起来不爽,能不用就不用.
应用日本人的东西我就感至压抑.能替换紧就替换.看到三菱的芯片我就感到郁闷.大家做好不要用日本的电芯,LG的电芯不错.我们公司就是用它们的.
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sam_ho
LV.2
21
2005-01-22 11:58
@willzhang
ps501确实不错,各项性能指标均能让最挑剔的客户满意.唯有一点,输入电压的耐压偏低,只有20V,要知道面对16.8v的电池,最好有30V的耐压才保险;20V好像有点太冒险.
WillZhang 您好!在我们多家产品测试中20V输入是没有问题的,PS501是四个Vcell输入端都是20V,在对电芯的电压采样时,可以直接与4串电芯直接相联,在考虑ESD方面的性能时会通过串联一个220ohm的电阻与电芯相连接.PS501内部对电池输入端有专门的保护电路,确保其可靠性.我们知道给4sxP的电池充电时其恒压值也就是16.80V,考虑充电器的电压检测精度为1%,其输出最大值为:16.97V,  20V的裕量是足够的.用过BQ2060的朋友可以知道他的输入最高也为20V,第一,二节的输入最高电压仅为10V,PS501的4个输入端都为20V.  当然了,技术的东西需要实践中来检验,Willzhang在实践中有关于这方面有宝贵经验,还请多多指教!
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sam_ho
LV.2
22
2005-01-22 12:40
@willzhang
破坏别人生意的事情我实在不想做--:(但我要说的是,PS501这个缺陷实在很重要,一定要用的话,在各电压输入端多加防护吧.另外,PS501的电流检测和电压检测8路信号公用A/D,轮流切换需要时间,所以面对那些可能考测脉冲放电的客户慎用,可能会丢失电流信号.
没错,PS501对各种模拟信号的采样是使用模拟通道来切换的,现在大都的混合信号测量都是使用分时采样的方法.就只要这个采样的速度足够快的话,就可以做到实时的效果.就像我们在使用Windows操作系统一样,在听音乐的同时进行上网和各种各样的操作,这好像都是在并行进行的,实质上都是在分时处理.                                                              在一个系统中AD转换,主要有两个指标,采样精度和采样速率.在需要高速采样的场合如电机控制系统中Microchip公司尖对,直流有刷电机,无刷直流电机的,交流电机的控制系统中分别有PIC16F,PIC18FXX39,PIC18FXX31及dsPIC30F,可以提供高达12bit,100KPS或者10Bit,500KSPS的采样精度和采样速率. 对于电池包电压,电流的采样是不需要太快的速度的,目前所有的电池电量计量芯片都是采用分时采样的方法来做的,而有ADC采样的时间只占整个工作周期的小部份时间,大部分的时间用于处理电量的计量. 我们知道现在用在电池包的处理芯片大都工作在32Khz的低频率,从而达到低功耗的目的,PS501使用的ADC是片内集成Σ-∆ A/D 转换器,其最大分辨率16 位.PS501还有专门的电量计量模型用来处理分时采样的误差补偿.在电池的AD转换,精度和速度的关系是:要求高的精度而不要求太快的速度.因为作为电源,其电压,电流突变的情况是很少的.
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jiurl
LV.5
23
2005-01-23 11:17
@sam_ho
WillZhang您好!在我们多家产品测试中20V输入是没有问题的,PS501是四个Vcell输入端都是20V,在对电芯的电压采样时,可以直接与4串电芯直接相联,在考虑ESD方面的性能时会通过串联一个220ohm的电阻与电芯相连接.PS501内部对电池输入端有专门的保护电路,确保其可靠性.我们知道给4sxP的电池充电时其恒压值也就是16.80V,考虑充电器的电压检测精度为1%,其输出最大值为:16.97V,  20V的裕量是足够的.用过BQ2060的朋友可以知道他的输入最高也为20V,第一,二节的输入最高电压仅为10V,PS501的4个输入端都为20V.  当然了,技术的东西需要实践中来检验,Willzhang在实践中有关于这方面有宝贵经验,还请多多指教!
我正在看PS501芯片的资料,感觉很不错.好象其中的买点电池平衡介绍的不是很多,一般建议不采用是这样吗?另外我想设计一款外挂的笔记本电池,利用笔记本的电源适配器给电池充电,能提供关于充电这方面的资料吗
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willzhang
LV.4
24
2005-01-24 10:39
@sam_ho
WillZhang您好!在我们多家产品测试中20V输入是没有问题的,PS501是四个Vcell输入端都是20V,在对电芯的电压采样时,可以直接与4串电芯直接相联,在考虑ESD方面的性能时会通过串联一个220ohm的电阻与电芯相连接.PS501内部对电池输入端有专门的保护电路,确保其可靠性.我们知道给4sxP的电池充电时其恒压值也就是16.80V,考虑充电器的电压检测精度为1%,其输出最大值为:16.97V,  20V的裕量是足够的.用过BQ2060的朋友可以知道他的输入最高也为20V,第一,二节的输入最高电压仅为10V,PS501的4个输入端都为20V.  当然了,技术的东西需要实践中来检验,Willzhang在实践中有关于这方面有宝贵经验,还请多多指教!
电池的等效模型是理想电压源、寄身电感、寄身电容的复合体.特别是电感,由于通常工作在直流环境下,往往被人忽略.事实上电池的卷层结构造成的寄身电感往往几百nL,甚至更高.在充电电流忽然中断等情形电流剧烈波动时,电感会产生冲击电压,这一电压会击穿负责控制的MOSFET,因此常见MOSFET两端并联电容降低冲击,但受到冲击的除了MOSFET外还有Gas Gauge和锂电保护电路,这也是为什么TI、Seiko, 美上美等Guage,Protector厂商电芯连接端的耐压都要大于30V,内部控制还要高得多的原因.以20V耐压来闯荡江湖,未免有点太过托大.
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willzhang
LV.4
25
2005-01-24 10:46
@sam_ho
没错,PS501对各种模拟信号的采样是使用模拟通道来切换的,现在大都的混合信号测量都是使用分时采样的方法.就只要这个采样的速度足够快的话,就可以做到实时的效果.就像我们在使用Windows操作系统一样,在听音乐的同时进行上网和各种各样的操作,这好像都是在并行进行的,实质上都是在分时处理.                                                              在一个系统中AD转换,主要有两个指标,采样精度和采样速率.在需要高速采样的场合如电机控制系统中Microchip公司尖对,直流有刷电机,无刷直流电机的,交流电机的控制系统中分别有PIC16F,PIC18FXX39,PIC18FXX31及dsPIC30F,可以提供高达12bit,100KPS或者10Bit,500KSPS的采样精度和采样速率.对于电池包电压,电流的采样是不需要太快的速度的,目前所有的电池电量计量芯片都是采用分时采样的方法来做的,而有ADC采样的时间只占整个工作周期的小部份时间,大部分的时间用于处理电量的计量.我们知道现在用在电池包的处理芯片大都工作在32Khz的低频率,从而达到低功耗的目的,PS501使用的ADC是片内集成Σ-∆A/D转换器,其最大分辨率16位.PS501还有专门的电量计量模型用来处理分时采样的误差补偿.在电池的AD转换,精度和速度的关系是:要求高的精度而不要求太快的速度.因为作为电源,其电压,电流突变的情况是很少的.
对于缓慢变化的物理量采用轮流检测的做法无可厚非;
对于快速变化的物理量采用轮流检测会丢失数据.电流改变的速度每秒可能1000次,检测每秒一次,这样的精度只能对于恒定直流源才有效,否则误差就大了,相对于脉动直流,最大误差100%!
通常这种轮流检测是不得已的办法,用MCU解决方案的大多数如此,三菱M37516也是如此,TI和Maxim就用了独立的电流积分电路,我相信Michochip也是不得已的办法,在他的下一款电路中应该会有所改善,大家可以拭目以待.
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willzhang
LV.4
26
2005-01-24 10:50
@sam_ho
WillZhang您好!在我们多家产品测试中20V输入是没有问题的,PS501是四个Vcell输入端都是20V,在对电芯的电压采样时,可以直接与4串电芯直接相联,在考虑ESD方面的性能时会通过串联一个220ohm的电阻与电芯相连接.PS501内部对电池输入端有专门的保护电路,确保其可靠性.我们知道给4sxP的电池充电时其恒压值也就是16.80V,考虑充电器的电压检测精度为1%,其输出最大值为:16.97V,  20V的裕量是足够的.用过BQ2060的朋友可以知道他的输入最高也为20V,第一,二节的输入最高电压仅为10V,PS501的4个输入端都为20V.  当然了,技术的东西需要实践中来检验,Willzhang在实践中有关于这方面有宝贵经验,还请多多指教!
bq2060的电压输入端并不和电芯直接相连,而是通过几百k的电阻分压,这就注定了他根本不怕浪涌电压的冲击,PS501不一样,它直接连接或通过一个100ohm的电阻,不能不考虑过压危险.
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sam_ho
LV.2
27
2005-01-24 11:05
@willzhang
bq2060的电压输入端并不和电芯直接相连,而是通过几百k的电阻分压,这就注定了他根本不怕浪涌电压的冲击,PS501不一样,它直接连接或通过一个100ohm的电阻,不能不考虑过压危险.
谢谢Willzhang给我们上了深入浅出的一课,我回头再了解一下PS501内部的结构,实际上PS501的电压采样端到内部ADC模块是有经过分压网络的,PS501为了简化外部电路的设计将这部分电路做到芯片里面了,而不需要像BQ2060一样要用外部电阻分压. 同时PS501是基于PIC18F单片机内核的.用过PIC MCU的工程师可以了解其IO口对VDD有正向保护二极管,可以有效的防止电感性的反压击穿. Willzhang的建议,我将在我们产品中进行进一步的验证.
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willzhang
LV.4
28
2005-01-24 11:43
@sam_ho
谢谢Willzhang给我们上了深入浅出的一课,我回头再了解一下PS501内部的结构,实际上PS501的电压采样端到内部ADC模块是有经过分压网络的,PS501为了简化外部电路的设计将这部分电路做到芯片里面了,而不需要像BQ2060一样要用外部电阻分压.同时PS501是基于PIC18F单片机内核的.用过PICMCU的工程师可以了解其IO口对VDD有正向保护二极管,可以有效的防止电感性的反压击穿.Willzhang的建议,我将在我们产品中进行进一步的验证.
你所说的内部分压并不能增加Cell端口的耐压值,因为这样的因素已经被考虑在最终耐压的标定了.否则Microchip一定会标耐压值30V, 40V.内部分压电路肯定存在,但内部的端口耐压也一定更低保护.
保护二极管对于电感的浪涌电压,嘿嘿,只有芯片厂商自己相信.一旦出现比Vcc高0.7V的电压和Gnd低0.7V的电压,CMOS电路就变成了一个可控硅,给一个触发电流就启动栓锁效应.至于这个电流多大,一般和电流的持续时间有关,无论如何,我相信100uA是非常危险的.
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qiuyy
LV.6
29
2005-01-24 13:46
@willzhang
你所说的内部分压并不能增加Cell端口的耐压值,因为这样的因素已经被考虑在最终耐压的标定了.否则Microchip一定会标耐压值30V,40V.内部分压电路肯定存在,但内部的端口耐压也一定更低保护.保护二极管对于电感的浪涌电压,嘿嘿,只有芯片厂商自己相信.一旦出现比Vcc高0.7V的电压和Gnd低0.7V的电压,CMOS电路就变成了一个可控硅,给一个触发电流就启动栓锁效应.至于这个电流多大,一般和电流的持续时间有关,无论如何,我相信100uA是非常危险的.
电池的等效模型是理想电压源、寄身电感、寄身电容的复合体.特别是电感,由于通常工作在直流环境下,往往被人忽略.事实上电池的卷层结构造成的寄身电感往往几百nL,甚至更高.在充电电流忽然中断等情形电流剧烈波动时,电感会产生冲击电压,这一电压会击穿负责控制的MOSFET,因此常见MOSFET两端并联电容降低冲击,但受到冲击的除了MOSFET外还有Gas Gauge和锂电保护电路,这也是为什么TI、Seiko, 美上美等Guage,Protector厂商电芯连接端的耐压都要大于30V,内部控制还要高得多的原因.以20V耐压来闯荡江湖,未免有点太过托大.

这段话真是分析得有道理呀.所以我们期待MICROCHIP公司的FAE快速把些问题回馈给你们的公司,修改芯片.我想只要是你们的芯片没有什么隐患,肯定可以得到中国用户的信任.我以前就吃过FAIRCHILD公司类似的苦头,芯片出了问题(HD565),他们只回收就行了,而我却被公司老板痛斥.不堪回首.所以你要请WILLZHANG吃饭呀,他在帮你.
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sam_ho
LV.2
30
2005-01-24 14:23
@qiuyy
电池的等效模型是理想电压源、寄身电感、寄身电容的复合体.特别是电感,由于通常工作在直流环境下,往往被人忽略.事实上电池的卷层结构造成的寄身电感往往几百nL,甚至更高.在充电电流忽然中断等情形电流剧烈波动时,电感会产生冲击电压,这一电压会击穿负责控制的MOSFET,因此常见MOSFET两端并联电容降低冲击,但受到冲击的除了MOSFET外还有GasGauge和锂电保护电路,这也是为什么TI、Seiko,美上美等Guage,Protector厂商电芯连接端的耐压都要大于30V,内部控制还要高得多的原因.以20V耐压来闯荡江湖,未免有点太过托大.这段话真是分析得有道理呀.所以我们期待MICROCHIP公司的FAE快速把些问题回馈给你们的公司,修改芯片.我想只要是你们的芯片没有什么隐患,肯定可以得到中国用户的信任.我以前就吃过FAIRCHILD公司类似的苦头,芯片出了问题(HD565),他们只回收就行了,而我却被公司老板痛斥.不堪回首.所以你要请WILLZHANG吃饭呀,他在帮你.
这几年来,我作为Microchip公司产品的用户到Microchip产品的推广工作,我对Microchip公司的产品是抱十分的信心的,Microchip的产品就是以可靠见长,这在每月上1000K量的各大家电生产厂的生产统计的结果可以得知:Microchip产品的不良率是最低的.我们现在在这里讨论的问题,这只是我们用理论分析的初步意见,并没有在实践中来验证.willzhang的建议我们马上的反馈给Powersmart的开发人员,Willzhang如果也在深圳上班的话可以找个时间一起好好聊聊,I treat you!    我在这里可以负责任的说,PS501是经过Microchip严格测试推出的,大家可以放心使用,希望能得到大家的支持,如果你不放心的话,我可以提供评估板给你进行测试.
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willzhang
LV.4
31
2005-01-24 15:16
@sam_ho
这几年来,我作为Microchip公司产品的用户到Microchip产品的推广工作,我对Microchip公司的产品是抱十分的信心的,Microchip的产品就是以可靠见长,这在每月上1000K量的各大家电生产厂的生产统计的结果可以得知:Microchip产品的不良率是最低的.我们现在在这里讨论的问题,这只是我们用理论分析的初步意见,并没有在实践中来验证.willzhang的建议我们马上的反馈给Powersmart的开发人员,Willzhang如果也在深圳上班的话可以找个时间一起好好聊聊,Itreatyou!    我在这里可以负责任的说,PS501是经过Microchip严格测试推出的,大家可以放心使用,希望能得到大家的支持,如果你不放心的话,我可以提供评估板给你进行测试.
毫无疑问,Microchip是一家令人尊敬的优秀公司,但他闭口不提轮流检测电流可能造成的系统误差,也闭口不谈电池过压可能对端口的伤害,令人不解.

也许PowerSamrt只是Microchip收购的一家公司,Microchip对这一行业的了解还不够,相信下一款产品能够在这两方面有所改善,我个人相信Microchip有能力做得到.
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