请教下后羿专家，mofet的能量测试指标如何定义？

专家倒是不敢当，我个人觉得MOS管的选型要考虑有如下几点:

1.VDS:对MOS管的耐压要求的考虑是首要的，一般来说MOS管的耐压要比实际最高工作电压高10%以上；

2.ID：我们考虑的ID一般要最少按MOS管工作在100度结温的ID选择留有余量；在PWM电源，工作电流要按峰值电流计算，而不是平均电流；

3.开关参数，驱动要求；

4.安全区域和热阻的复核，一般来说符合了第2点这点比较容易通过；

5.效率要求：有时候我们选择的MOS管在良好散热的情况下完全可以满足安全性和寿命的要求，但是可能达不到效率要求，比如金牌电源的效率要求，这个时候我们需要选用电流更高等级或开关参数更快的MOS管。

6.封装散热要求，有时候就算前5点都达到要求了，但是手体积和散热条件的影响我们不得不选用损耗更小的MOS管。

mosfet的RON，是温度的正函数，温度100度时，RON会增大到常温25度时的2倍，所以其ID选择要算温度余量。

所以更多的时候选择mosfet，不是选择它的IDmax，而是选择其RON。

原来都有相关性啊

其实，看EAS更多的不是因为你带了多少感性负载，而是回路中有多少杂散电感，这些杂散电感不参与正常的能量传输，而是在器件关断的时候，强制对器件放电。对于某些应用，例如逆变，系统设计的够好，某些安全特性参数再差的管子也是可以用的很好的；而如果方案设计的不好，例如开机大电流冲击，要看的MOSFET参数就不是RDSON，也不是EAS，反而是SOA了。很多器件，尤其是国产器件，SOA都是拿热阻和内阻算出来的，他们根本就没测试出来过，甚至也不懂怎么测试。对于器件的国产化，除了厂商要认真做，器件使用者也要像钟工这样的明白人啊！

高手啊，确实如此。有很多时候管子明明保护了，在保护之前还是好的，可是保护之后却坏了第二次都开不起机了。

我不是高手哈，略懂皮毛。用管子保护其实还是拿管子来扛一段时间的冲击。冲击过后，设计的不好的管子，内伤的更厉害而已。这个扛冲击的能力是和很多参数是矛盾统一的。有很多人喜欢用IR的老管子，IR的老管子长的结实跑的慢卖的贵，这都是系统设计不动脑筋不得不接受的妥协。

请教一个问题，MOS工作温度高，工程师通常会在MOS-2个电极上并电容或电阻来处理改善MOS的工作状态，（MOS封装造成的电容），可以针对MOS的改善阻值或容值同时给处理对应的电阻或电容吗？

有时候会在GS并电容改变GS和GD电容的比值减小米勒振荡，也会在DS加电容或RC吸收漏极尖峰。

一般50%以下。