单端正激的复位绕组的复位电压公式是什么推导出来的。

先上个图，这样才好分析

Nr:Np=Dr:Don，通常取Dr+Don=0.8，由此可以确定占空比。

Nr50%，初级电流会减小，但开关管将承受比2倍输入电压还高的电压，具体为(1+Np/Nr)倍。

Nr>Np时，占空比<50%，初级电流会增大，但开关管将承受电压比2倍输入电压低的电压，具体为(1+Np/Nr)倍。

我在做一个AC/DC的单端正激150W的方案。输入AC220后经整流桥，输出48V。要是取占空比>50%，那原边MOS管的电压应力就会加大，要是取小于0.4的占空比，副边的纹波电流大，副边绕组的匝数会多，副边整流管的电压应力也会大，所以该如何取Nr,Np会比较好。

还是说这个拓朴不适合做种场合应用。

MOS管承受的电压为Vin(1+Np/Nr)

如果Nr=Np，MOS承受2Vin。所以，占空比不大于0.5，是综合考虑的结果。

楼上正解

都是折衷去考虑，建议D=0.4.

最后我确定了Nr = Np，占空比取0.42，实测时恢位绕组的上的D1峰值电压超高。在交流输入155V时，直流输出26V,负载10R,复位绕组的二极管峰值电压到达800V，请问下这是为什么。