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最后我确定了Nr=Np，占空比取0.42，实测时恢位绕组的上的D1峰值电压超高。在交流输入155V时，直流输出26V,负载10R,复位绕组的二极管峰值电压到达800V，请问下这是为什么。[图片][图片]

这么小能做65W,能不能上个原理图，用什么方案做的，效率这么高。

我在做一个AC/DC的单端正激150W的方案。输入AC220后经整流桥，输出48V。要是取占空比>50%，那原边MOS管的电压应力就会加大，要是取小于0.4的占空比，副边的纹波电流大，副边绕组的匝数会多，副边整流管的电压应力也会大，所以该如何取Nr,Np会比较好。还是说这个拓朴不适合做种场合应用。

当Nr=Np时，复位绕组的电压会等于输入电压，此时占空比不能大于0.5.否则磁心饱和。这个大家都知道。之所以提出这个问题，是想有没有办法通过调节Nr,Np匝比，来实现占空比大于0.5.这又该如何实现，望高手们发表发表。

先上个图，这样才好分析[图片]

噪音是指什么。

在半桥驱动电路中的R1限流电阻，还有缓冲的R2,C1能不能用普通的0805封装在AC/DC模块中的反馈绕组中的限流电阻能不能也用普通的0805封装这些地方都是高压区，但是相对电压又是低压的，受限于布板一直很想贴片化，上头领导出于安全稳定性考虑还是保留了较大的裕量。所以很想知道各位大侠们，在实际工程应用中这些地方参数是如何选择。

这个思路我还是觉得比较好一点吧。因为在批量生产时难免出现各种问题，对测试人员也是一种保护