发一个恒流源对电容冲放电的三角波电路，可以得到比较漂亮的波形[图片]

占空比最好按最低输入时取40%来计算按照此参数计算，初级取4匝，变压器磁通变化量大致在2400Gs的样子，这样相当于磁芯从-1200到1200之间变化，30kHZ应该没有问题。若按40%占空比计算，次级与初级匝比应该是6.85，只需要28匝就够了，取到40匝也可以，此时占空比会下降27%的样子，15V输入时占空比更低

通常变压器中需要设计一组VCC绕组，用于各种芯片的供电。

这哪里是线性电源，EUP3476是内置开关管的同步整流buck转换器

陶瓷电容用途很广泛，常见的材质有：C0G(NP0)、X7R、X5R、Y5VC0G很稳定，温度稳定性很高，是一种很不错的高频电容，但价格高，容量难以做大，目前我见过的最大容量是104(0.1uF)x7r/x5r温度稳定性要差些，性能比C0G的要差，适合在高要求的电路中做芯片的去耦电容，目前我见过最大容量是107(100uF)，这个电容拿来和铝电解并联似乎很不错。Y5V温度稳定性就差了，最多可以变化-85%，同样可以做大容量，比x7r/x5r便宜。此外，陶瓷电容模拟电路中，会因压电效应产生比较大的谐波失真，常见的现象就是电容在叫。似乎C0G压电效应很小，这个在设计电路是该如何考虑？

开关状态工作在可变电阻区，如果是做模拟功放，就需要工作在饱和区。这些在大学教材里面说得很清楚

我先谈谈自己见解：薄膜电容：高频特性好，耗损低，聚苯乙烯优于MKP又优于MKT，但开关电源中很难看到，是因为其体积大和价格高的原因吗？我一直认为薄膜电容是最好的电容，DIY时不太计较成本可以优先考虑。陶瓷电容：现在的MLCC已经有容量超过百uF的了，具有很低的ESR，贴片封装的ESL也很低，似乎很适合用在开关电源的输出端。铝电解电容不用说，需要大容量只能选它。固态电容的性能比铝电解电容的性能好，用它代替铝电解电容似乎不错钽电容性能优于铝电容，但不耐冲击，用在开关电源中比较危险，所以不用

Nr:Np=Dr:Don，通常取Dr+Don=0.8，由此可以确定占空比。Nr50%，初级电流会减小，但开关管将承受比2倍输入电压还高的电压，具体为(1+Np/Nr)倍。Nr>Np时，占空比

可以N也可以P，buck用P要方便些，用N需要加驱动电路（变压器或自举电路）。boost用N方便些，用P也需要变压器或自举电路（其实这时叫自降电路合适些）但没见过boost用P的，因为这是增加成本反而使性能下降的做法。但是buck中的PMOS也不是很好用，PMOS需要的驱动信号是以电源正极为参考的，而通常我们设计电路是以电源负极为参考，这会照成参考不一致，如果输入电压不超过PMOS栅源耐压，还好办。但是如果输入电压超过了栅源耐压，也是个麻烦事。