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IRF3205 耐压问题

IRF3205的VDSS = 55V。我做了一个实验,直接将36V直流电接在漏极和源极之间,栅极悬空,这种情况下mos管被击穿了;将36v改为24v又做了一次实验,这种情况下mos管没有被击穿。请高手指教,为什么能耐住55v,而36v时就被击穿了?
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2014-05-20 09:50
Mos 一般36V 要用到vs3207试试 微兆的牌子 /80V 180A  电压大点好... 你36V 应该脉冲达到了55V 了所以击穿了
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2014-05-20 09:56
@q1481000462
Mos一般36V要用到vs3207试试微兆的牌子/80V180A 电压大点好... 你36V应该脉冲达到了55V了所以击穿了
谢谢你,36v直流电是由三节12v的电池组成的。而且在正负极之间并联了1uf的电解电容和0.01uf的瓷片电容,然后接mos管,请问这样做能抑制脉冲吗?
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lymex
LV.5
4
2014-05-20 09:59

击穿的原因在于栅极悬空。

栅极悬空后,电压是不确定的,由于感应电压和漏电,栅极上会有电压,使得管子处于半导通状态,这样加上电压后,就超出了管子的SOA区域。

把栅极短路到源极就没问题了

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2014-05-20 17:16
@lymex
击穿的原因在于栅极悬空。栅极悬空后,电压是不确定的,由于感应电压和漏电,栅极上会有电压,使得管子处于半导通状态,这样加上电压后,就超出了管子的SOA区域。把栅极短路到源极就没问题了
楼上正解!栅极对源极要加个泄放电阻。
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szsmrd
LV.4
6
2014-05-20 17:26

电流要求多大,建议改用IRFB3607PBF,成本比3205要低得多。

3607耐压75V。80A。要样品测试可以找我要

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Sam_Xiner
LV.4
7
2014-05-23 13:50
@lymex
击穿的原因在于栅极悬空。栅极悬空后,电压是不确定的,由于感应电压和漏电,栅极上会有电压,使得管子处于半导通状态,这样加上电压后,就超出了管子的SOA区域。把栅极短路到源极就没问题了

正解,管子完全没问题,测试方法完全不对。

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2014-05-28 13:44
@kugezhenshuai1
谢谢你,36v直流电是由三节12v的电池组成的。而且在正负极之间并联了1uf的电解电容和0.01uf的瓷片电容,然后接mos管,请问这样做能抑制脉冲吗?
选用Mos 管 脉冲电压不够高  就会直接被击穿 
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2014-05-28 13:46
@kugezhenshuai1
谢谢你,36v直流电是由三节12v的电池组成的。而且在正负极之间并联了1uf的电解电容和0.01uf的瓷片电容,然后接mos管,请问这样做能抑制脉冲吗?
加个泄放电阻
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q1481000462
LV.2
10
2014-05-28 13:47
@q1481000462
Mos一般36V要用到vs3207试试微兆的牌子/80V180A 电压大点好... 你36V应该脉冲达到了55V了所以击穿了
需要样品 可以找我 免费送
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