设计了个变压器,缘边电感7个毫亨,是不是太大了?
10W 的电感量要比 50W 的电感量要大
如果你设计的是50W,结果才达到 10W 的电感量,这样输出功率就会不足,而你需要做的是减小电感量,否则就容易饱和炸机(这是针对分立外置 MOS 结构,或者外置 current sensor R 的单片开关电源)
所谓的自适应,如果楼主用的是 VIPower 系列的话,7mH 可以只会输出1~2W,而加大负载,不会出现饱和炸机,因为芯片内部会有 OCP,自然的保护掉
"10W 的电感量要比 50W 的电感量要大":
这句话是有前提的,10W的功率相对较小,我们一般设计在断续模式;而50W的功率相对较大,我们一般设计在连续模式,根据电感储能公式,电感量自然就不用取那么大了(不是说取那么大就一定不行,只是需要付出不必要的代价,比如加大变压器,增加绕组匝数。我们一般取小一点而已。输出功率不足是因为饱和触发过流保护,限制输出功率了。如果加大变压器、匝数,使其不进入饱和,那么输出功率的能力只会增加,而不会出现你所说的不足的现象。你根本就没有解释清楚原因,只是给了一个似是而非的结论)。从理论上分析,如果两者都设计在断续模式,你还认为"10W 的电感量要比 50W 的电感量要大"吗?我在第14贴里面有描述,“反激电源里面,一般是电感量过小,才会导致输出功率不足。尤其是工作在间歇模式”,就是说断续(间歇)模式下,感量越大,输出功率的能力越强。你认为有没有问题?
“饱和炸机"问题:
你在第13贴里面描述”单片集成 MOS 的电源芯片,会自适应相应的电感,而不会出现变压器饱和现象,电感量过大,最多是导致功率无法输出,进入保护状态”。
我的回复是”一般就是变压器饱和,初级电流过大,触发保护,限制输出“,我表述的意思就是功率无法输出是由于变压器饱和触发过流保护引起的。只不过是“芯片内部会有 OCP,自然的保护掉”,不会引起炸机而已。但是,电感量过大,是完全会引起变压器饱和的。“饱和”跟“炸机”是两个不同概念,你不能因为没炸机,就去否认变压器饱和现象的存在,这种描述是不严谨的,这些基础知识,书里面都是有介绍的。
附上公式 :峰值磁感应强度=(电感量*电流峰值)\(Ae*Np)
呵呵~~ 有意思!
如果用 UC384X 来设计的电源
10W 会是 DCM
50W 会是 CCM
那要是设计 100W 的,不知采用 DCM 还是 CCM 了
除却 RCC 和 QR 的电源,都不会有严格意义上的 DCM 和 CCM
1. 反激电源里面,一般是电感量过小,才会导致输出功率不足。尤其是工作在间歇模式”,就是说断续(间歇)模式下,感量越大,输出功率的能力越强。你认为有没有问题?
--- 这个是错误的
同等条件下,感量越大,输出的功率会越小,相应的效率会越高;这个我上面已经说了,设计10W 与 50W,在同等条件下,电感量的问题
2. 自适应相应的电感问题
上述条件下,你设计的 50W 电源,而用的是 10W 电感量,当电源所加的负荷,超过 10W时,必然会容易出现变压器饱和现象
相同架构和参数,变压器电感量不同,排除开机第一周期的 Dmax 状态下可能出现的饱和炸机之外,它都会对应一个相应的负载问题;仅仅区别在于效率上的差异而已