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光耦ACPL-337J能驱动SiC器件SCH2080KE吗?

各位工程师,你们好:

    我遇到一个问题,想请教下各位。我计划采用SiC器件SCH2080KE做一个实验平台,要求驱动电路具有保护功能,开关频率为100kHz。拟采用光耦ACPL-337J作为驱动芯片。附件是SiC器件和光耦的数据手册。337J的数据手册中,很多参数都是在10kHz开关频率的情况下给出的,所以不清楚是否它能驱动100kHz的SiC器件。请问该从哪些方面考虑这个问题呢?

附件在1楼。

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2014-05-22 23:39
@ljxnuaa
sch2080ke.pdfAV02-4390EN_DS_ACPL-337J_2014-05-09.pdf

337推荐应用与IGBT,里面有些引脚功能专门用于IGBT的过流保护。

最大延迟时间250ns,对100Khz来说有点偏大了,建议重新选型。

SIC驱动电压,高电平建议在16到18V,低电平给个负压,负3V左右。

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ljxnuaa
LV.1
4
2014-05-23 21:23
@legendacer
337推荐应用与IGBT,里面有些引脚功能专门用于IGBT的过流保护。最大延迟时间250ns,对100Khz来说有点偏大了,建议重新选型。SIC驱动电压,高电平建议在16到18V,低电平给个负压,负3V左右。

嗯啊,本打算用337做SiC器件的驱动,可以用它的过流保护功能。如果采用数字控制,本来就有1.5个开关周期(15us)的控制延时,250ns应该影响不大吧?请问你能否推荐个高频驱动的光耦,关键是有过流保护功能的。

谢谢!~

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2014-05-24 00:22
@ljxnuaa
嗯啊,本打算用337做SiC器件的驱动,可以用它的过流保护功能。如果采用数字控制,本来就有1.5个开关周期(15us)的控制延时,250ns应该影响不大吧?请问你能否推荐个高频驱动的光耦,关键是有过流保护功能的。谢谢!~
250ns是驱动信号上的延时,对100K来说是稍大了------死区时间不好设计(假设你用的是桥式电路:全桥、半桥)。
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ljxnuaa
LV.1
6
2014-05-24 15:35
@legendacer
250ns是驱动信号上的延时,对100K来说是稍大了------死区时间不好设计(假设你用的是桥式电路:全桥、半桥)。
我确实是用的全桥电路。实验平台用到的SiC器件很多,需要做短路保护,所以想到用带过流保护的光耦。
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