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AOT470 完全替代75N75这颗场效应管用到的这方面的可以问我要样品急规格书

 数据列表AOT470(L)产品相片TO-220AB标准包装  1,000类别分立半导体产品家庭FET - 单系列-包装  管件  FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)75V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)10A (Ta), 100A (Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)10.5 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)136nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5640pF @ 30V功率 - 最大值2.1W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供

wgwyzheng@163.com  qq:2355607948

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