1.如上所示是精通开关电源里面的图，是MOS管导通的过程，漏极电流Id在Vgs大于Vrh后开始上升，上升到Io。想问的是，MOS导通后，电感电流为三角波上升，我是否理解为导通过程稳定的Id为导通后电感电流开始上升的初始值，但是为什么图中Id=Io。并且按我的理解上图应该是指工作在CCM模式，那么BCM模式的话，电感电流初始为0,有改如何理解。
2.MOS管的栅极驱动电阻如何选取，如果为了EMI电话，其值应该尽量大，但是上升时间会变长，影响效率。对于MOS管的上升和下降时间有没有比较好的参考，大概在多少ns合适，有时为了EMI，只好加大电阻值，但是至少影响效率吗，太大会不会造成电路异常。
3.外置MOS的话，怎么没判断IC的驱动能力是否足够，一般IC资料会给出SINK 和source电流，如何理解。
4，碰到过在MOS管的S极窜磁珠，量产会有相当比例开机炸机，将磁珠短路就OK，请问磁珠是怎样影响到，测试突入电压电流都没有问题。
以上，学习MOS管碰到的一些问题，请各路高手赐教！
