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关于BP2832A非隔离降压型辐射不能通过

大家好,日前采用BP2832A做一款非隔离降压型的LED驱动模块,设计时要通过EN55015的辐射和传导标准,可是在做辐射时峰值超出了阈值线大概3dBuV/m左右,请大家看看改怎么解决?还有就是在做辐射测试时,LED负载到底有没有啥规定,我就是直接在一大块铝基板上焊上50个1W LED灯,没有加灯罩,不知对辐射结果有没有影响?下面我把原理图和辐射图贴上,大家帮忙看看。比较急,谢谢了!

上面是原理图,辐射图如下:

辐射图我是拍的照片,超过了3M,不好传,我会放在附件里。BP2832A过认证.pdf辐射水平和垂直图.rar

大家帮忙看看?

 

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xuliyang
LV.4
2
2014-07-19 13:44
各位大侠看看,该怎么解决?
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2014-07-21 20:28
输出正负对地各加103/1KV瓷片电容。
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xuliyang
LV.4
4
2014-07-23 08:57
@yaorenfeng
输出正负对地各加103/1KV瓷片电容。

这倒是没试过,我主要是通过把D1即续流二极管由原来的ES1J改成RS1M,辐射情况有一些改善,原因可能是由于反向恢复时间的不同导致的,即ES1J是超快恢复二极管,最大反向恢复时间为35nS,RS1M是快恢复二极管,最大反向恢复时间为500nS,我觉得RS1M反向回复时间有点长,下次做辐射试试RS1J,它的反向恢复时间为250nS,1M和1J的主要区别就是最大反向耐压不同,1M是1000V,1J是600V。其次我也在整流桥之后的PI型滤波中的电感感量由1mH改为2-3mH,输出并上1206的200K电阻,还有并上2.2uF/400V的电解电容,整机改下来后的辐射图是这样的:

大家看看,这张辐射图可能跟上面的电路图有不一致,这张是整流桥前加了些滤波元件,不过辐射效果跟这差不多。

不知道为啥同样的板子,在另一个认证机构辐射却过不了?

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2014-09-18 11:00
@xuliyang
这倒是没试过,我主要是通过把D1即续流二极管由原来的ES1J改成RS1M,辐射情况有一些改善,原因可能是由于反向恢复时间的不同导致的,即ES1J是超快恢复二极管,最大反向恢复时间为35nS,RS1M是快恢复二极管,最大反向恢复时间为500nS,我觉得RS1M反向回复时间有点长,下次做辐射试试RS1J,它的反向恢复时间为250nS,1M和1J的主要区别就是最大反向耐压不同,1M是1000V,1J是600V。其次我也在整流桥之后的PI型滤波中的电感感量由1mH改为2-3mH,输出并上1206的200K电阻,还有并上2.2uF/400V的电解电容,整机改下来后的辐射图是这样的:[图片]大家看看,这张辐射图可能跟上面的电路图有不一致,这张是整流桥前加了些滤波元件,不过辐射效果跟这差不多。不知道为啥同样的板子,在另一个认证机构辐射却过不了?
割地试试。和负载有关系,越大则辐射越强。屏蔽T,很多办法,慢慢试。兄弟。
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635492077
LV.2
6
2014-09-18 22:28
你在LED- 串一个pF级的电容到地、或者在DRAIN 端串个磁珠、或者在续流二极管的正极穿磁珠。
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