1)如下为仙童一份介绍Vds资料截图,在反激拓扑结构中,当MOSFET关闭后Vds会出现尖峰电压,理论上来说是由于初级测漏感造成的,既然后漏感肯定就不能耦合到次级去,但是资料介绍的波形中,次级测的电流波形为什么会受到影响,此时次级测电压应当被输出电压钳位?
2)
初级测的电流为Ipk=Id= Im(励磁电流) + I耦合;你的意思是说由于漏感震荡的过程,引发Im励磁电流的变化,那么耦合电流是怎么变化的。。。?
既然波形能耦合过去,为什么能量不能传递过去,(当然传递过去了又与漏感的定义上存在分歧)
请详解,谢谢。