Vicor 首个采用标准产品平台的非隔离稳压器
创新的零电压开关(ZVS)拓扑结构支持高效率操作
高度硅集成, 结合高密度封装, 提高电源功率密度
实现高电压至低负载点转换
随后发布其他零电压降压、零电压升降压、和零电压升压稳压器
那些因素阻碍现有技术发展?
1.硬开关– 现今,大多数非隔离降压稳压器拓扑的开关损耗都很大。原因是在导通和关断期间,MOSFET 同时抵受高电流和高电压应力。当开关频率与输入电压增高时,这些损耗同时增大,局限了其可以达到的最高工作频率、效率和功率密度。
2.栅极驱动损耗– 由于栅极驱动电路内的米勒电荷的功耗较高, 导至硬开关拓扑结构的栅极驱动损耗也较高。
3.体二极管传导– 当高电平端MOSFET 导通和关闭时, 高脉动电流通过低电平端MOSFET 本身的体二极管。体二极管导通的时间越长,反向恢复损耗和体二极管传导损耗便愈高。体二极管传导也会造成破坏性的过冲和振铃