【赛前准备】防止反接电路设计与制作

在同学们参加电子设计大赛的时候，由于时间紧，任务重，到后面的2-3天很少合眼。但是这时候，一些非常的低级错误就会发生，比如说将DC输入的正负极接反，这样会导致元器件的损坏。在此，特意提供了一种具有反接保护的电路，请大家参考设计。这个例子参考论坛上的斌520大侠~

防反接。这个对于移动安装频繁还有对生手有很重要的意交。一不小心就会全烧光光，损失惨重所以只多花几块钱的事来保证有时候的失误是一个很好的保障。大功率的机器用二极并接来防反接肯定是不行的，不可靠。我是利用场管来做反接，损耗小可靠性高。

全部回复(18)

只看楼主

正序查看

倒序查看

SKY丶辉煌

2014-07-24 09:34

此图为反接时情况，输出电压为0V。仿真软件（Saber）

SKY丶辉煌

2014-07-24 09:35

此图为正接情况，输出为20V

2014-07-24 09:39

2014-07-24 09:39

2014-07-24 09:40

2014-07-24 09:40

2014-07-24 09:40

LV.10

2014-07-24 10:15

@SKY丶辉煌

[图片]

已经被推荐到社区经典，咔咔！

电源网-天边

2014-07-24 10:59

@SKY丶辉煌

[图片]

继续继续~~~

SKY丶辉煌

2014-07-24 11:09

@电源网-娜娜姐

已经被推荐到社区经典，咔咔！

谢谢

tanb006

LV.10

2014-07-24 16:55

@SKY丶辉煌

谢谢

三管并联啊?这方法在逆变里边常用的啊.

最好能在GS并个稳压管就可靠了.输入多少V都行.

如果次级接的是电池,而不是下一个电源的初级,又该如何接呢?

tanb006

LV.10

2014-07-24 16:56

@tanb006

三管并联啊?这方法在逆变里边常用的啊.最好能在GS并个稳压管就可靠了.输入多少V都行.如果次级接的是电池,而不是下一个电源的初级,又该如何接呢?

不好意思,表达有点模糊,如果次级接的电池反了.能有方法不?

spekh

LV.4

2014-07-25 09:34

@SKY丶辉煌

[图片]此图为反接时情况，输出电压为0V。仿真软件（Saber）

请恕小弟愚昧，未能看懂这电路的工作原理，请多多指教！

我的理解这样的：按楼主的意思，正确的接法是图中电源V-DC为上正下负，输出10K两端电阻（负载）为上正下负。

要这样的话MOS管DS极是不是接反了？

按这图的分析，正确接法时，初始MOS管S极的电压应为VS=VDC=20V,MOS管G极电压VG=10/(0.47+10)*20=19.1V,VGS=VG-VS=19.1-20=-0.9V,这样MOS管不能导通。但是有一点不知是不是楼主忽略了，一般大功率MOS管DS极都会反并一只二极管，这样的话，这种接法刚好是MOS管DS极反接的二极管导通，忽略二极管压降，10K两端就会有正常的20V输出。当然MOS管S极VS也不是20V,而是0V，MOS管不能起做用，还不如直接串接二极管。

如果是错误的反接法，加电初始，MOS管G极电压VG=0.47/(0.47+10)*20=0.9V,S极电压VS=0V，VGS=VG-VS=0.9V=0V=0.9V,MOS管不能导通，MOS管DS极反并的二极管也是截止的，10K电阻两端无输出。

这是我的电路分析理解，如果错了，请多多指教！谢谢！

新月GG

LV.9

2014-07-25 14:23

@spekh

请恕小弟愚昧，未能看懂这电路的工作原理，请多多指教！我的理解这样的：按楼主的意思，正确的接法是图中电源V-DC为上正下负，输出10K两端电阻（负载）为上正下负。要这样的话MOS管DS极是不是接反了？按这图的分析，正确接法时，初始MOS管S极的电压应为VS=VDC=20V,MOS管G极电压VG=10/(0.47+10)*20=19.1V,VGS=VG-VS=19.1-20=-0.9V,这样MOS管不能导通。但是有一点不知是不是楼主忽略了，一般大功率MOS管DS极都会反并一只二极管，这样的话，这种接法刚好是MOS管DS极反接的二极管导通，忽略二极管压降，10K两端就会有正常的20V输出。当然MOS管S极VS也不是20V,而是0V，MOS管不能起做用，还不如直接串接二极管。如果是错误的反接法，加电初始，MOS管G极电压VG=0.47/(0.47+10)*20=0.9V,S极电压VS=0V，VGS=VG-VS=0.9V=0V=0.9V,MOS管不能导通，MOS管DS极反并的二极管也是截止的，10K电阻两端无输出。这是我的电路分析理解，如果错了，请多多指教！谢谢！

MOS管的DS端并没有接反。

输入为正确接法（上正下负）时，输入为20V；分压电阻中点（即MOS管G端电压）为VGD=10/(0.47+10)*20V=19.1V；MOS管的反并二极管导通，压降为0.7V左右，即VDS=-0.7V；所以VGS=VGD+VDS=19.1V+(-0.7V)=18.4V；所以MOS管导通，由于MOS管本体压降远小于反并二极管压降，电流由反并二极管转移到MOS管本体（注意电流是反向流动，即从S端流到D端），所以MOS管的DS端电压的绝对值下降（比如从VDS=-0.7V变到-Rds*I，其中Rds为MOS管导通电阻，I=20V/10k欧=2mA为负载电流）。如果是大负载电流（比如50A负载），这种接法与单个二极管相比，极大提高了效率。如果是小负载电流（比如1A负载），只要接个二极管就行了，没必要接MOS管。

输入为错误接法（上负下正）时，正如14楼所说，MOS管本体和反并二极管均关断，实现防反接的功能。

SKY丶辉煌

2014-07-25 15:07

@新月GG

MOS管的DS端并没有接反。输入为正确接法（上正下负）时，输入为20V；分压电阻中点（即MOS管G端电压）为VGD=10/(0.47+10)*20V=19.1V；MOS管的反并二极管导通，压降为0.7V左右，即VDS=-0.7V；所以VGS=VGD+VDS=19.1V+(-0.7V)=18.4V；所以MOS管导通，由于MOS管本体压降远小于反并二极管压降，电流由反并二极管转移到MOS管本体（注意电流是反向流动，即从S端流到D端），所以MOS管的DS端电压的绝对值下降（比如从VDS=-0.7V变到-Rds*I，其中Rds为MOS管导通电阻，I=20V/10k欧=2mA为负载电流）。如果是大负载电流（比如50A负载），这种接法与单个二极管相比，极大提高了效率。如果是小负载电流（比如1A负载），只要接个二极管就行了，没必要接MOS管。输入为错误接法（上负下正）时，正如14楼所说，MOS管本体和反并二极管均关断，实现防反接的功能。

讲解的非常透彻！谢谢月哥