大家有没有在MOS管的应用中遇到问题的进来聊聊。
MOS管的损伤机理一般有这么几种1.过压损坏,包含栅极过压,漏极过压,过压后往往伴随过流,如果很短的时间内被保护了就是单纯的过压损坏,此时可以看出源极非打线区域会有小黑点,颜色可能不是很深。如果过压后没有保护然后进入过流损坏,芯片在源极非打线区域会出现大面积烧黑。
2.大电流,如严重过流短路损坏,纯粹的过流损坏会在源极的打线区域产生大量的热量,会在压线部位周围烧黑一大片。
3.过热损坏,如果MOS管不过流也不过压,只是因为结温过高损坏,如果被保护了,表面会看不出明显的烧伤,要是没有被保护,会出现2一样的现象。
4.MOS管损伤的机理都是归根到底都是热损坏,局部晶包过热或整体发热,比如过压,也是耐压低的晶包先击穿发热损坏慢慢扩大。
所以MOS管的失效分析还是要根据具体电路和烧伤现象相结合才能分析得比较准确,图中的MOS从烧伤现象来看,只能说明不是长时间过大电流所致。
在这个MOS管的漏极和源极都串联有保护器件,正负熔断电阻都开颅了
开了几个MOS现象都是一样的,确实是过流,只是被保护了,故障没有进一步扩大
钟工,厉害
关于栅极电容问题求解:
设计一块使用PWM方式的负载电路,使用单片机产生30KPWM,用IR2110做驱动,每通道驱动一个IRFP4468(见图1)。使用一段时间各项功能基本正常,温升也可以接受(平均电流在25A以内时,管子表面温度在55度以内,平均电流高于25A,温度急剧上升)。驱动GS端波形见图2
但考虑到IRFP4468国内正品价格高不好买,拆机件品质也无法保证,所以选了HY5110W进行替换,仅替换管子,其他电路一律不变。
装上HY5110W后发现管子温升较大,后用示波器观测GS端波形发现驱动波形明显变形,感觉是管子输入电容过大造成的充放电延时(见图3),于是拆下管子使用电容表测量G_S电容,实测约17000pF,居然和手册上的参数相符,这些有点蒙了,既然和手册参数一致,为什么还会驱动不起来呢?难道我的表有问题,量的不准?于是又找出手头的IRFP250、HY1620W等其他管子进行测量,发现测量值也都和手册上Ciss标称值相符,那就排除了电容表测量误差问题,但是测量IRFP4468时却发现实测只有月4000pF,而手册上标的19800pF,为什么实测结果会比手册标称值小那么多,怪不得使用IR2110驱动时轻轻松松,没发现什么问题,而换用HY5110却很难驱动。
问题来了,
1.IRFP4468实测G_S端电容约4000pF正常吗?有那位大侠了解这个管子的,我现在有点担心买到的IRFP4468是否为假货?
2.如果买到的4468为假货,那么肯定是奸商用其他型号的管子改的,有那位大侠知道用什么型号的管子改比较好,因为我发现手头的4468用在我这个场合确实没问题,与其买假的4468还不如稳妥点买个和4468相近的其他管子呢(我的电路峰值电流=30V/0.25欧=120A,正常工作电压30V左右,最高电压会瞬间达到80V左右,设计的管子平均电流20A,)。
3.如果确定我的4468是假货,那么真的4468肯定输入电容比HY5110还大,使用IR2110势必更难驱动,那位大侠能推荐一个能驱动这种级别牛管的驱动芯片啊?