图腾柱驱动MOS经典电路分析

仿真的帖子删除，来点实际的。

图1

如上图所示MOS管的驱动电路（PMOS图上画错，正确的应该是S级接18v）。

分析如下

当Vb输入低电平时，Vg也为低电平【1】，|Vgs|≈18v，MOS管导通，上下两个三极管都不导通。

当SE555输出高定平时，即Vb为高电平，三极管8050导通，三极管工作在放大区（Vbe＞Von && Vce＞Vbe），Vg=Vb-0.7=15-0.7=14.3（近似值）。|Vgs|≈18-14.3=3.7,  MOS管为完全关断。

我有几点疑问希望可以有人给我解惑  

【1】为什么Vg为低电平，如果两个三级管都没有导通，为什么会出现低电平？

对于这个问题，我有两个猜测，

1）,用万用表测试的不正确，Vg实际上是高阻态。

2) ,Vg的低电平，是由于三极管的漏电流产生的。

不知道大家认为哪个靠谱一些，或者有其他可能的原因，还望大家多多指导。

对于以上理论分析，下面是几组测试数据

图2

|VGS| /V      PMOS 的D级  /v 4.153           18.041 3.916          18.024 3.416           8.637 3.876           0.494 2.384          0.461       表一

实际测试过程中使用的是PMOS型号为IRF5305

分析：图1中使用的电路，无法完全关断MOS管，且在工作过程中，下边的三极管8550，一直没有工作。

为了验证8550没有工作，把8550用电阻替换，如下图所示

图 3

更换后，奇迹的事情发生了，MOS管可以正常的工作也可以关断，就是出现一个不好的现象，当Vb输入最大时（约15v），VGS最小电压为3.315比表一中的要大，输出电压也较高，测试R6为2.5K.然后继续增大R6至11K,VGS最小电压为3.257v，输出电压为2.409v，有效果，但是效果不明显。

还有一点就是图1中R16(50K)电阻对电路的影响，我试过去除，发现这个电阻对电路的影响微乎其微，也可能是我分析，测试的不对，希望大家可以指正。

希望找到，输入电压低的，但是可以完全关断的电路，，，