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士兰微非隔离SD6900驱动方案

士兰微非隔离驱动IC SD6900

SD6900.rar   三星LED推介样书..pdf

SD6900描述:
    SD6900是一款专用于非隔离LED驱动的控制芯片,外围应用采取浮地Buck架构.在该架构下,芯片采样电感电流进入内部,并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络,从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率.同时,芯片自带PFC控制,自动实现全电压范围高PF值.芯片的临界导通模式减小开关损耗,提高系统转换效率.           
   SD6900内部集成各种保护功能,包括输出开路保护,输出短路保护,逐周期过流保护,过温保护,VCC过压保护等.
   SD6900具有超低的启动电流和工作电流,可在全电压输入范围内(85VAC~265VAC)高效驱动高亮度LED.
 
SD6900的特性:
    SD6900有恒流控制模式(专利)
    SD6900精确恒定电流(<±3%)供给LED
    SD6900全电压输入范围PF>0.9
    SD6900临界导通模式
    SD6900短路保护(专利)
    SD6900开路保护
    SD6900有VCC过压欠压保护
    SD6900过温保护
    SD6900过电流保护
 
SD6900应用范围:
    SD6900用于球泡灯
    SD6900用于T5LED灯具
    SD6900用于T8LED灯具
    SD6900用于各式LED照明应用场合

SD6900功能描述:
    SD6900是一款利用BUCK原理搭建的非隔离LED照明驱动芯片.以下是对芯片各功能的具体描述.
SD6900启动控制:
    SD6900的启动电流很低,因此可以快速启动.外部启动电路可以采用较大的启动电阻.VCC端具有欠压保护功能,开启/关断电压阀值设定在16V和8.5V.迟滞特性确保启动期间输入电容能给芯片正常供电.启动完成且输出电压上升到一定程度后,输出端可通过辅助绕组或齐纳管降压对VCC进行充电.Vz=VLED-VCC.
 
    
 
SD6900临界导通模式:
   SD6900芯片采用检测电感电流过零来开通MOSFET开关.电感电流过零点可通过ZCD电压来判断.ZCD电压可通过辅助绕组或电阻分压检测.
   当电感电流过零时,ZCD管脚电压会下降,芯片检测其下降沿,实现过零开通MOSFET开关.临界导通模式有利于减小开关损耗,提高系统转换效率.
 
SD6900恒流精度控制
    SD6900芯片采样电感电流,利用内部误差放大器形成闭环反馈网络,从而得到高恒流精度和高负载调整率.
    CS电压和0.17V基准电压进入跨导放大器进行误差放大,并通过外部Comp电容积分.Comp端电压控制外部功率管导通时间,调整输出电流.
SD6900电流检测和前沿消隐
    SD6900芯片具有逐周期限流保护功能,当CS电压超过一定值时,芯片关断外部MOSFET开关,系统仍保持正常工作,下个周期外部MOSFET正常开启.
在前沿消隐时间内,限流比较器是不工作的,MOSFET开关在这段时间内是保持导通状态的.
 
SD6900栅极驱动:
    GATE管脚连接到外部MOSFET的栅极,来实现对MOSFET的开关控制.GATE的驱动能力太弱,MOSFET的开关损耗会增加;反之,GATE的驱动能力太强,则会带来EMI问题.因此,芯片的图腾柱式的驱动输出部分在驱动能力和死区时间之间进行了折衷.
    GATE的输出高电平被钳位在15V,以保护内部高压MOSFET的安全.
SD6900 VCC过压保护:
    当VCC电压过高时,进入VCC过压保护状态,MOSFET开关截止,系统将进入自动重启.
SD6900输出过压保护:
    输出电压通过电阻分压输入ZCD管脚.当ZCD电压超过过载保护电压阈值4.25V时,进入输出过压保护状态,MOSFET开关截止,系统将重新启动.
SD6900输出短路保护:
    当ZCD电压低于输出短路保护电压阈值0.5V且维持448个开关周期后,芯片进入输出短路保护状态,MOSFET开关截止,系统将重新启动.

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2014-09-17 10:04

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