面对严峻的市场，什么新生事物都快速出现，对于场效应管也是，一些COOMOS也是在和传统的MOS进行着严峻的竞争。不知到华晶，华微，后羿，福斯特如何去面对这场战争
一种基于电子科技大学陈星弼院士发明专利，打破传统功率MOSFET理论极限，被国际上盛誉为功率MOSFET领域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年问世并很快走向市场。CoolMOS由于采用新的耐压层结构，在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时，又有着极低的导通损耗。这里需特别指出的是，陈院士的CB及异型岛结构，是一种耐压层上的结构创新，不仅可用于垂直功率MOSFET，还可用于功率IC的关键器件LDMOS以及SBD、SIT等功率半导体器件中，可称为功率半导体器件发展史上的里程碑式结构，该发明由此也名列2002年信息产业部三项信息技术重大发明之首位。最近，笔者在国家“863”项目的支持下，利用三维超结结构，在国际上首次获得了与低压器件兼容的导通电阻较传统器件降低5倍的高压LDMOS。! j: U( |4 ]3 p# K! y6 C, }% g9 h9 p& q" M d i5 R, V80年代由陈老师提出来，在我们上课的时候不叫coolmos， 叫super junction 超结，由于其构造特殊，导通电阻非常低，耐高压，发热量低，因此又叫coolmos。后来卖给了西门子半导体，就是现在的infineon。
