大家好：
我最近遇到个问题，就是反激变压器设计时，效率也不低，但温升很高，请教大家如何解决温升的问题？
疑问: 1. 温升高是不是和Bac取值大有关系？
2. 气息是不是太大？
3.开关频率是不是低？
变压器温升问题
全部回复(10)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢，说说你的想法
@yswang
1. 先确认量测温度是否正确(关机温度缓慢下降),有时候,量测线会受干扰2. 一般ferrite铁损低,倒是铜损可能较大,确认线径是否足够,改用细线多条会有改善3. 变压器选用Ae值较大铁心会有明显改善4. 气隙先用垫的,确认是否气隙影响铜损
1.测量不会错误
2.确实是线热，改用线径有效果，但不是很好
3.Ae不能改变，因为体积PCB封装一定
4.气息垫的效果和中心柱稍有区别，但垫气息不使用批量生产
现调试发现：
变压器绕制时初级-次级-初级，每1/2初级占两层，两层之间垫一层绝缘，温升能低10度左右，我的理解：加垫一层绝缘胶带，增加了层间距离，间接减少层间电容，但减少层间电容对温升有什么好处？另减少层间电容同时增加层间距离，即对于耦合效果会变差，我觉得效率会变低，实际上 并没有变多少，但温升却小来10度，请给解释下原因，谢谢
0
回复
提示
@rsszd
1.测量不会错误2.确实是线热，改用线径有效果，但不是很好3.Ae不能改变，因为体积PCB封装一定4.气息垫的效果和中心柱稍有区别，但垫气息不使用批量生产 现调试发现：变压器绕制时初级-次级-初级，每1/2初级占两层，两层之间垫一层绝缘，温升能低10度左右，我的理解：加垫一层绝缘胶带，增加了层间距离，间接减少层间电容，但减少层间电容对温升有什么好处？另减少层间电容同时增加层间距离，即对于耦合效果会变差，我觉得效率会变低，实际上并没有变多少，但温升却小来10度，请给解释下原因，谢谢
两层之间垫一层绝缘可减少线间电容(此电容近似snubber电容),可减低开关导通瞬间损失,一般是工作在CCM效果较明显,若是DCM或许也可减少一些邻近效应造成的损失
0
回复
提示
@sinican
看你所需要传输的功率和变压器磁芯的大小
输出28V，峰值电流5A，正常输出2A，测试的效率是在2A时测试的
反激变压器设计参数：
EER2834磁芯，Ae=0.814cm，f=65khz，Dmax=0.45，最低输入电压165V，设计最大功率时为ccm模式，Krp=0.85，Bac=0.255，效率设计按0.84
我设计的参数如下：
初级：0.35单线68圈
次级：0.5双线13圈
辅助:0.35单线10圈
电感量：440uH
气息采用磨中心柱1.3----1.4mm之间
如果初级和次级都加粗一倍的线绕制，得到的效率将降低1%，请教为什么温升那么高？
0
回复
提示
@小矿石
功率多大，单一的效率不能说明问题啊
输出28V，峰值电流5A，正常输出2A，测试的效率是在2A时测试的
反激变压器设计参数：
EER2834磁芯，Ae=0.814cm，f=65khz，Dmax=0.45，最低输入电压165V，设计最大功率时为ccm模式，Krp=0.85，Bac=0.255，效率设计按0.84
我设计的参数如下：
初级：0.35单线68圈
次级：0.5双线13圈
辅助:0.35单线10圈
电感量：440uH
气息采用磨中心柱1.3----1.4mm之间
如果初级和次级都加粗一倍的线绕制，得到的效率将降低1%，请教为什么温升那么高？
0
回复
提示
@rsszd
输出28V，峰值电流5A，正常输出2A，测试的效率是在2A时测试的反激变压器设计参数：EER2834磁芯，Ae=0.814cm，f=65khz，Dmax=0.45，最低输入电压165V，设计最大功率时为ccm模式，Krp=0.85，Bac=0.255，效率设计按0.84我设计的参数如下：初级：0.35单线68圈次级：0.5双线13圈辅助:0.35单线10圈电感量：440uH气息采用磨中心柱1.3----1.4mm之间如果初级和次级都加粗一倍的线绕制，得到的效率将降低1%，请教为什么温升那么高？
跟据个人经验，效率下降一个点温升会高10度左右，线径加大，磁芯耦合问题，所以效率会降，你试一下只加次级看看效率。
0
回复
提示
