以下计算步骤和参数参考sinican大师的帖子：http://www.dianyuan.com/bbs/1454589.html
设定条件：磁芯EFD30（AE=69mm2），输出5.3V 8A，效率80%，D=0.45，频率65K
输出功率 Po = 5.3V * 8A = 42.4W
输入功率 Pin = Po/η = 42.4W/0.8 = 53W
输入最低电压 Vin(min) = Vac(min)*sqr(2) = 85Vac * 1.414 =
120Vdc
输入最高电压 Vin(max) = Vac(max)*sqr(2) = 265Vac * 1.414
= 375Vdc
输入平均电流 Iav = Pin/Vin(min) = 50W/120Vdc = 0.442A
输入峰值电流 Ipeak = 4 * Iav = 1.767A
原边电感量 Lp = Vin(min) * Dmax/(Ipeak * Fsw) =
120Vdc * 0.45/(1.7667A * 65K ) = 470 uH
初级匝数Np = Vin(min)*Ton/(ΔB × Ae) = 120Vdc * 6.92us/(0.2 * 69mm2) =60T
计算变压器 5.3V 主输出的匝数输出电压(Vo):
5.3Vdc整流管压降(Vd): 0.5
Vdc绕组压降(Vs): 0.3（过于理想？）
Vdc原边匝伏比(K) = Vi_min / Np= 120 Vdc / 60 T = 2
输出匝数(Ns) = (输出电压(Vo) + 整流管压降(Vd) + 绕组压降(Vs)) / 原边匝伏比(K)= (5.3 Vdc + 0.5Vdc + 0.3Vdc) / 2 = 3T (取整)
辅助供电绕组电压12V，取6T
以上计算结果有不合理之处请大师们指正。顺便请教几个问题：
1：按照sinican的计算方法，初级感量Lp貌似不是必须计算的步骤？因为在关键的初次级线圈匝数计算里并不需要Lp参数计算。
以本例给定的参数，Lp与Np能否合理对应？我尚不了解此中关系，请指教。
2：次级取整3T，反射电压Vor将达到60/3*5.6V=112V，MOS承受的最高电压=375+112+120=607V，已经超出600V耐压的MOS承受能力。Ns取4T，也会高达375+120+84=579V，是否安全？另外Ns取4T会带来哪些不良影响（暂不考虑次级线圈压降增大带来的效率损失）
以上120V值参考：http://www.dianyuan.com/bbs/672310.html
4：次级电流较高，采用多股并饶与铜箔线圈哪个工艺性较好？
5：多数教科书里提到的气隙如何确定？变压器厂商通常有把握经验？
