刘刘牛牛：
我有限的针对参与讨论几点：1：Y电容高压侧最常见的接法是单独连接至电容负极，也有见连接正极的，也有因为PCB布线空间限制就近连接至高压侧负极网络上。我估计最佳的连接方法应该是单独连接至电容负极，其它都是折中方案。经验有限，我不清楚实际对于EMI有多少微妙的差异。2：一般电阻靠近IC，因为CS脚是弱信号易受干扰。3：应该只是指驱动电阻？个人感觉应该靠近MOSG极，从而减小G电容对EMI的不利影响？4：初级RCD是为吸收初级线圈漏感产生的尖峰，所以布局上贴近变压器初级线圈，尽量缩小环路面积；次级是为吸收整流管的振铃，布局上应该贴近整流管并尽量缩小环路面积。至于电容位置有无特别讲究，这个我也没有一点点概念，坐等大师分解。