反激波形异常，请教下各位大侠，具体什么原因造成的。

工作频率100K

输入：32-100VDC,   输出：15V/1.5A,18V/0.1A

15V带载1A时，管子温度开始上升,这属于正常？

Q1图中没标出来，是IRF640N.

芯片地线干扰。

应该是低压输入时的波形吧？这种像是带载能力不足，造成的。

从Vgs上，很规律的大/小波驱动，看着很像电流检测异常导致的！

(1)把开关管S端的电压和芯片Vsense的波形也发上来看看！

(2)上面两幅图Vgs和Vds怎么对应不上，最好上Vg&Vd、Vg&Vs的双通道波形；

(3)Comp脚电压是不是没有低过5.8V？

(4)D2/D3是不是肖特基的？Irr参数大么？

是低压输入时测试的波形，但是轻载的时候也是这个波形

C15电容0.1μ太大了，换个471的

谢了，改了电容后驱动波形正常，目前的问题输入55V时MOSFET管VDS高至150V，加了RC吸收没反应。

看下次级二极管峰值，看要不要调下砸比，或改下变压器工艺，减小漏感

很正常，RCD吸收加大R

初级电阻改为：2*6.8K，C=472,次级二极管并一个472电容，VDS峰值降为127V。其他参数组合测试后电压无法降低。

改匝比

IRF640耐压200V，只有你效率可以接受，这个尖峰没有问题。100KHz的开关频率，C15用471pF都偏大，布线好的话，200pF足够了，否则短路的时候Vds会更大。

谢谢，匝比改大还是改小？

R7改为470欧，C15改为200PF。

另外15V带反馈输出带满载时另一路18V输出高至30V，如何解决，多多指教下！

加假负载