LinkZero-LP适合低成本的无箝位设计,它具有非常严格的IC参数容差,能提升系统制造的良品率。SO-8C封装中的爬电距离非常大,加上带迟滞热关断保护的集成700 V MOSFET,可进一步增强系统的现场应用可靠性。而且,100 kHz的工作频率可减小充电器尺寸,频率抖动功能可大幅降低EMI滤波的成本。
分享 LinkZero-LP电源芯片的介绍
LinkZero-LP基于成功的LinkSwitch™-LP系列IC设计而成,可广泛应用于手机充电器和其他低功率充电器/适配器应用。LinkZero-LP继承了LinkSwitch-LP所特有的简化性,设计电源时所使用的外围元件不超过20个。新器件甚至还能与现有的LinkSwitch-LP设计后向兼容,这样可在不增加元件数的情况下轻松、快速地实现零空载功率。
LinkZero-LP适合低成本的无箝位设计,它具有非常严格的IC参数容差,能提升系统制造的良品率。SO-8C封装中的爬电距离非常大,加上带迟滞热关断保护的集成700 V MOSFET,可进一步增强系统的现场应用可靠性。而且,100 kHz的工作频率可减小充电器尺寸,频率抖动功能可大幅降低EMI滤波的成本。
LinkZero-LP适合低成本的无箝位设计,它具有非常严格的IC参数容差,能提升系统制造的良品率。SO-8C封装中的爬电距离非常大,加上带迟滞热关断保护的集成700 V MOSFET,可进一步增强系统的现场应用可靠性。而且,100 kHz的工作频率可减小充电器尺寸,频率抖动功能可大幅降低EMI滤波的成本。