手册上没解释电流震荡问题,希望懂得大神帮帮忙,谢谢了!
说个详细的。
第一个iD, id交错时:mosfet电流id从峰值降到0,斜率由原边漏感决定;副边二极管电流 iD 从0到峰值,斜率由副边漏感决定。这两个过程同时开始,同时结束。原边电流下降的同时,最终会charge到mosfet的结电容Cds和变压器寄生电容,由漏感和电容组成了震荡回路。而电容上产生的峰值也就加在mosfet漏极上了。
第二个交错图上写了副边二极管反向电流,只不过图简单了,实际也是震荡的。但凡有电感电容就肯定有震荡。