FCPF11N60NT 11N60 TO-220F 三极管 原装正品 − N 沟道SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ
半导体 分离式半导体 晶体管 MOSFET
SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
提供产品方案
产品特性
RDS(on) = 255mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 5.4A
超低栅极电荷（典型值Qg = 27.4nC )
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 130pF )
650 v @Tj = 150°C
Typ。Rds()= 0.32Ω
超低门(typ收费。Qg = 40数控)
低有效的输出电容(typ。Coss.eff = 95 pf)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准
标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：SuperFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：380 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：52nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1490pF @ 25V
功率 - 最大：36W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220F
包装：管件
其它名称：FCPF11N60_NLFCPF11N60_NL-ND
深圳市福田区福田区中航路高科德电子市场12249
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FAN 系列
FCPF11N60 FCPF22N60 FCPF16N60 FCPF20N60
FDA系列 FDPF18N50 FDP18N50
FDPF12N60NZ FDPF10N60NZ FDPF13N50NZ FDPF7N60NZ
FDPF5N60NZ FDP33N25 FGA15N120 FGA20S120
FFPF10F150STU FFPF20UP20DNTU FGH20N60SFDTU
FGH30N60SFDTU FGH40N60L FGL40N120 FGL60N100
FJP3305H1TU FJP3305H2TU FJP13005 FJP13007
FJP13009 BU406
FQPF12N60C FQPF10N60C FQPF7N60C FQPF8N60C
FQPF7N80C FQP7N80 FQP8N60C FQPF4N90C
FQP4N90 FQP3N80C FQPF3N80C FQP55N10
FQA9N90 FQA11N90 FQA24N50 FQA38N30
FQA13N80 FQA28N50
等FAIRCHIILD一系列产品
高兴微电子商行李绪欢 0755-83259341高科德12249
