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MOS管怎样被静电击穿的?

如题,MOS管被静电击穿是怎样一个过程?
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2015-02-09 20:04
不知不觉吧,所以要做好静电措施。
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飞翔2004
LV.10
3
2015-02-26 09:12
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
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power_hh
LV.5
4
2015-03-03 22:30
@飞翔2004
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
GS的电容很小,高电源很容易产生大电流,烧坏mos。
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2015-03-04 10:24
我觉得是栅-源极间电容形成高压导致MOS管损坏的
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2015-03-04 15:52
GS的电容很小,高电压直接击穿,烧坏mos。
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wuyh123
LV.6
7
2015-03-05 20:17
高电压对gs之间的电容充电,产生大电流叫烧坏了,这是大概的。
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2015-03-07 09:49
@flowerhuanghua1
不知不觉吧,所以要做好静电措施。

在使用中,使用者要带静电环。

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2015-03-07 09:49
@power_hh
GS的电容很小,高电源很容易产生大电流,烧坏mos。
使用时不能超过MOS的使用规格。
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yhypower
LV.3
10
2015-03-09 10:28
@zhaojiahighaim
GS的电容很小,高电压直接击穿,烧坏mos。
MOS最怕的是ESD,所以存储及使用都要注意。
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datian
LV.6
11
2015-06-08 00:15
主要是栅-源极间有寄生电容,一些静电感应累积容易产生高压而损坏MOS管。
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tanb006
LV.10
12
2015-06-08 21:49
@power_hh
GS的电容很小,高电源很容易产生大电流,烧坏mos。

更多时候不是完全烧坏。

测试的时候好的。装机就不稳定,然后就坏了。

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zhc7401
LV.4
13
2015-06-09 18:39
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
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amao473
LV.4
14
2015-06-09 20:20

是个瞬间的过程哦。

biu

一下就完了。

不过实际上我还没遇到被静电击穿的情况。

三年生产线都没遇到过。

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hk123456
LV.4
15
2015-06-11 08:10
@amao473
是个瞬间的过程哦。biu一下就完了。不过实际上我还没遇到被静电击穿的情况。三年生产线都没遇到过。
过压,过流,静电,等等原因都可能损坏,静电是必须考虑的。
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dgdgcc
LV.1
16
2015-06-11 08:52

GS的电容积累能量击穿了。

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2015-07-08 11:25
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
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buer1209
LV.7
18
2015-07-08 11:53
一般还是瞬间高压击穿  比如断电瞬间   电感产生的尖峰容易造成mos管击穿
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2015-07-08 12:53

MOS管被击穿的原因及解决方案

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员的静电干扰造成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或工具在接触集成块前最好先接一下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地。

第二、MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时,应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时,可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

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tom307
LV.4
20
2015-07-08 17:39
电压过高  内部的电荷受到影响  最终栅极区域被击穿  这个模电书上介绍比较全面
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2015-07-08 20:46
MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
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飞翔2004
LV.10
22
2015-09-07 09:43

这三种情形的静电会对电子元件造成以下影响:

1.元件吸附灰尘,改变线路间的阻抗

2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体

3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热,使元件受伤.

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dakjncdc
LV.7
23
2015-09-07 10:28
GS的电容很小,高电源很容易产生大电流,烧坏mos。
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dy-mb2U9pBf
LV.8
24
2022-08-24 15:45

主要是G极输入电阻太大,容易静电击穿

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