初级绕组
图7所述的所有的变压器结构类型当中，初级绕组（或初级绕组的一部分）都作为第一个或靠近骨架最里面的 绕组。这样可以保证每圈用线的平均长度尽可能短，降低 了初级绕组的寄生电容。同时，如果初级绕组作为变压器最里面的绕组，它可以被变压器中其它的绕组屏蔽，从而可以降低初级绕组与其它邻近元件的噪声耦合。 绕组的起始端应为初级绕组的驱动端（连接至TOPSwitch漏极的一端）。这样可以保证具有最大电压漂移的一半初级绕组被其它绕组或另一半初级绕组所屏蔽，从而降 低变压器初级侧与电源中其它部件之间的EMI耦合。 初级绕组采用两层或更低的层数绕制。这样可以减小初级绕组的电容并降低变压器的漏感。在初级绕组的层间增加一层胶带可以将初级绕组电容减小四倍。这一点对于使用TOP200和TOP210的低功率应用尤其重要。它可以防止在TOPSwitch开通时变压器绕组电容放电而产生的初始电流尖峰误触发TOPSwitch的限流点。
初级偏置绕组
电源采用初级侧稳压方式还是次级侧的稳压方式决定了初级偏置绕组的最佳位置。如果电源采用次级侧的稳压方式，偏置绕组应位于初级绕组和次级绕组之间，如图7A和7C所示。当偏置绕组位于初级和次级之间时，它相当于一个连接至初级返回端的EMI屏蔽层，降低了电源产生的传导EMI。在使用次级稳压方式且采用挡墙绕制结构变压器的设计当中，将初级偏置绕组放置在初级和次级之间同时可以减少变压器中挡墙和加强绝缘材料的使用。对于使用初级稳压方式的电源设计，偏置绕组应该作为变压器中最外面的绕组，如图7B和7D所示。这样可以使初级偏置绕组和次级绕组最大限度地耦合，并降低偏置绕组和初级之间的耦合，从而改善电源的输出稳压 精度。通过与次级较好的耦合，偏置绕组可以对输出电压的变化做出更精确的反应，进而改善稳压精度。 同时，由此产生的偏置绕组和初级之间较差的耦合， 降低了初级漏感尖峰对降低对偏置绕组的峰值充电， 从而改善稳压精度。如果偏置绕组仅与初级之间进行松散的耦合，可以利用与初级偏置绕组输出相串联的一个小电阻对漏感尖峰进行滤波，改善电源的负载调整率。详情请参见设计指南DN-8中的描述。初级偏置绕组应完全占满一整层的骨架。如果偏置绕组的圈数比较少，可以适当增加偏置绕组绕线的尺寸， 或者使用多股并联的绕线方式。利用此方法来提高偏置绕组的填充系数可以在次级稳压方式的电源当中改善绕组的屏蔽作用，而在初级稳压方式的电源当中可以提高次级绕组和偏置绕组之间的耦合。
