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为什么GaN MOSFET耐压做不到1000V以上，而SiC可以？

为什么GaN耐压做不到1000V以上，而SiC可以？
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LWP1994
LV.1
2
2018-07-26 20:58
目前GaN器件的结构主要是横向结构，横向结构电压很难做上去。
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小白树
LV.1
3
2018-10-26 14:22
记得sic器件的结构主要是纵向结构，外延层厚度1微米对应100V的电压
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